[实用新型]集成电路中的缺陷监测用结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域，特别涉及一种集成电路中的缺陷监测用结构。

背景技术

随着微电子工艺的不断发展，集成电路规模如莫尔定律所述成几何级数增长。而今深亚微米乃至纳米工艺技术的不断投入应用，使集成电路制造遇到越来越多的困难。由于线宽越来越小，制造过程中缺陷对成品率的影响也越来越大。因此缺陷的检测对集成电路制造过程是至关重要的。业内主要的缺陷检测设备厂家都会制造标准片以校准设备、监测设备的稳定性和可靠性。

现有的标准片的缺陷类型主要是颗粒(光片)和制作于图形上的单个缺陷(图形片)。这些标准的缺陷结构能对检测监控缺陷检测设备的能力起很大的帮助。然而目前尚无一种能方便地将划痕分类的标准缺陷，因为划痕具有较多的存在形态和方向的不确定性，现有技术需要若干个曝光区(die)连接起来，才能得到一个具有划痕特征的测试结构，所以现有技术的标准片仅具有特定形态和方向的划痕缺陷，有很大的局限性，使缺陷检测设备的检测能力无法得到很好的检验。

实用新型内容

本实用新型提出一种集成电路中的缺陷监测用结构，用一种新型的划痕标准片，解决现有技术中在校准、检测、监控设备时无法直接对划痕缺陷进行分类校准的问题。

为了达到上述目的，本实用新型提出一种集成电路中的缺陷监测用结构，包括：

半导体衬底；

形成于所述半导体衬底上的凹陷状结构，该结构呈线状结构或线形分布的点状结构或其组合，所述结构中线状结构或线形分布的点状结构或其组合呈任意方向分布和排列，所述凹陷状结构形成于一个曝光区中。

进一步的，所述凹陷的点状结构的尺寸直径为0.05～5um，间隔为0.05～100um，个数为4～1000个；线状结构宽为0.05～5um，长为2um～30mm。

进一步的，所述凹陷状结构的深度为0.05～0.5um。

进一步的，该结构表面具有覆盖材料。

进一步的，所述表面的覆盖材料为SiO₂或SiN或SiON或金属层或以上组合。

进一步的，所述覆盖材料的厚度为0nm-1um。

本实用新型提出的集成电路中的缺陷监测用结构因采用了简洁的结构设计和兼容的工艺，可极为方便地形成标准的缺陷测试结构，具有广泛的工艺适应性。根据本实用新型，仅需一个曝光区(die)就可以得到具有划痕特征的测试结构，不仅方便，而且可以提高测试的可重复性，从而避免了由于光刻时有偏差，就有可能不具备划痕特征的缺点。由此，本实用新型使对缺陷检测设备的检验有了一个比较好的验证标准，对验证测试设备的可靠性、重复性、准确性以及软件计算都有很大帮助。

本实用新型的另一大优点在于其可实施性。由于目前光刻最大的曝光区(die)为26X33(mm2)，本实用新型可充分利用此有限区域形成清晰可辨的缺陷结构，以供校准之用。

附图说明

图1所示为本实用新型的集成电路中的缺陷监测用结构俯视图。

图2所示为本实用新型的线状结构或线形分布的点状结构或其组合与水平方向所成角度的示意图。

图3A至图3F所示为本实用新型的缺陷监测用结构中凹陷状结构的俯视图及剖面图。

图4所示为本实用新型的集成电路中的缺陷监测用结构的制造方法流程图。

具体实施方式

为了更了解本实用新型的技术内容，特举具体实施例并配合所附图式说明如下。

请参考图1～图3F，图1所示为本实用新型的集成电路中的缺陷监测用结构俯视图，图2所示为本实用新型的线状结构或线形分布的点状结构或其组合与水平方向所成角度的示意图，图3A～图3C所示缺陷监测用结构中凹陷状结构依次为线状结构、线形分布的点状结构及线点结合结构的俯视图，图3D～图3F所示缺陷监测用结构中凹陷状结构依次为线状结构、线形分布的点状结构及线点结合结构的剖面图。本实用新型提出一种集成电路中的缺陷监测用结构，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的凹陷状结构；以及上述结构表面的覆盖材料(图中未示)，所述凹陷状结构形成于一个曝光区中。