[实用新型]一种太阳能电池晶体硅片无效
| 申请号： | 201020521457.4 | 申请日： | 2010-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN201820760U | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 姚桂华;刘亮;谢小磊;倪恩光;徐永洋;张克强 | 申请（专利权）人： | 绿华能源科技（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0248 | 分类号： | H01L31/0248;H01L31/028 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 俞润体 |
| 地址： | 311215 浙江省杭州市萧*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种硅片，尤其是涉及一种太阳能电池晶体硅片。其主要是解决现有技术所存在的硅片的硅材料消耗太大，一般硅材料的利用率只有50%左右的问题；本实用新型还解决了厚的硅片会造成太阳能电池的硅的利用率很低，从而用于制造太阳能电池的高纯硅的成本非常高等的技术问题。本实用新型包括底板（1），其特征在于所述的底板（1）上设有高纯度硅层（2），底板或高纯度硅层上设有印刷电路（3）。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 晶体 硅片 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池晶体硅片，包括底板（1），其特征在于所述的底板（1）上设有高纯度硅层（2），底板或高纯度硅层上设有印刷电路（3）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
