[实用新型]一种太阳能电池晶体硅片

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种硅片，尤其是涉及一种太阳能电池晶体硅片。

背景技术

随着半导体工艺技术的发展，微电子领域经历了重大的变革，目前，集成电路领域已经进入了系统芯片时代，集成电路逐渐趋于将功能复杂的不同类型电路集成到单个芯片上，系统芯片正是集成电路在向集成系统的转变下产生的。同时，随着硅器件尺寸的不断减小，硅基器件和电路的高频性能不断得到提高，硅基混合信号集成电路和射频集成电路等已经成为了系统芯片的主要应用和解决方案。中国专利公开了一种超薄太阳能级硅片（授权公告号：CN 201153124Y），其本体为由上、下两平行平面组成的方形薄片，方形薄片四角为四个相同的45??倒角，本体的上、下两平面的距离在165-195μm范围内，其本体的翘曲度小于75μm。但是这种硅片的硅材料消耗太大，一般硅材料的利用率只有50%左右，而且硅片由于技术限制不能割的很薄，一般只能达到200微米左右，而实际的太阳能电池所需要的硅片厚度只需要50微米左右，这样厚的硅片会造成太阳能电池的硅的利用率很低，从而用于制造太阳能电池的高纯硅的成本非常高，硅片是太阳能电池的最大成本的部分，因此低的硅的利用率是目前硅片制造的太阳能电池价格高的主要原因，从而影响了太阳能电池的普及。

实用新型内容

本实用新型是提供一种太阳能电池晶体硅片，其主要是解决现有技术所存在的硅片的硅材料消耗太大，一般硅材料的利用率只有50%左右的问题；本实用新型还解决了厚的硅片会造成太阳能电池的硅的利用率很低，从而用于制造太阳能电池的高纯硅的成本非常高等的技术问题。

本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：

本实用新型的一种太阳能电池晶体硅片，包括底板，所述的底板上设有高纯度硅层，底板或高纯度硅层上设有印刷电路。硅底板和高纯度硅层作为整体就构成了制造太阳能电池的硅片，其中高纯度硅层是作为制造太阳能电池的光电有效材料，高纯度硅层下面的底板的作用是用来作为高纯度硅结晶凝固的衬底和电池的导体，另外高纯度硅层的厚度比较薄，机械强度比较差，而底板的厚度范围可以在50微米到3毫米，可以起到加固承载的作用。印刷电路可以用来导通电流。

作为优选，所述的高纯度硅层为多孔硅层，其厚度为100-750μm。多孔硅层对于底板的作用主要在于使衬底高阻化，从而使在多孔硅上制备的电路或者器件有着较好的性能。

作为优选，所述的底板为低纯度硅底板。低纯度硅底板和高纯度硅层构成硅片，可以通过让熔融状态的高纯度硅的硅原子结晶凝固在低纯度硅底板上形成硅片的高纯度硅层。

作为优选，所述的底板与高纯度硅层之间设有过渡硅板。其中高纯度硅层是制造太阳能电池的光电有效材料，过渡层硅的作用是可以阻挡硅底板中的杂质扩散到高纯度硅层中，从而防止降低太阳能电池的效率。

作为优选，所述的底板与高纯度硅层之间设有金属薄膜层。金属薄膜层是起反光的作用，它可以将穿透过的高纯度硅层的太阳光反射回去，实现太阳光的再利用，这样可以用较薄高纯硅层实现较高的太阳能电池的效率。

因此，本实用新型可以节约制造硅片的材料，并且利用多孔硅层，使得太阳能电池的硅的利用率较高，从而用于制造太阳能电池的高纯硅的成本较低，结构简单、合理。

附图说明

附图1是本实用新型的一种结构示意图；

附图2是实施例1的图1的A-A剖面结构示意图；

附图3是实施例2的图1的A-A剖面结构示意图。

图中零部件、部位及编号：底板1、高纯度硅层2、印刷电路3、过渡硅板4、金属薄膜层5。

具体实施方式

下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。

实施例1：本例的一种太阳能电池晶体硅片，如图1、图2，有一个底板1，底板为低纯度硅底板。底板上设有高纯度硅层2，高纯度硅层为多孔硅层，其厚度为500μm。底板或高纯度硅层上设有印刷电路3。底板与高纯度硅层之间设有过渡硅板4。

使用时，将本实用新型装入太阳能电池即可使用。

实施例2：本例的一种太阳能电池晶体硅片，如图1、图3，有一个底板1，底板为低纯度硅底板。底板上设有高纯度硅层2，高纯度硅层为多孔硅层，其厚度为500μm。底板或高纯度硅层上设有印刷电路3。底板与高纯度硅层之间设有金属薄膜层5。

使用时，将本实用新型装入太阳能电池即可使用。

以上所述仅为本实用新型的具体实施例，但本实用新型的结构特征并不局限于此，任何本领域的技术人员在本实用新型的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本实用新型的专利范围之中。