[实用新型]应用于长晶炉的硅晶长成自动感测机构无效
| 申请号： | 201020503951.8 | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN201785547U | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 黄国城 | 申请（专利权）人： | 锴兴工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 朱丽华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种应用于长晶炉的硅晶长成自动感测机构，包括：一架构于该长晶炉反应室外部的驱动装置，该驱动装置与该长晶炉的控制系统耦合；一硅晶体感测器，耦合于该驱动装置，并受其控制而执行线性移动的进给行程，该进给行程使该硅晶体感测器进入反应室内并抵达一感测硅晶体的位置；一行程感测装置与该驱动装置耦合，量测上述进给行程的位移量，并将该位移量输出至该控制系统，该控制系统利用该位移量换算成该硅晶体的长成速率。其可以达到定时量测、准确量测，避免硅晶体于长成过程中因感测接触而被破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 长晶炉 长成 动感 机构 | ||
【主权项】：
一种应用于长晶炉的硅晶长成自动感测机构，其特征在于包括：一架构于该长晶炉反应室外部的驱动装置，该驱动装置与该长晶炉的控制系统耦合；一硅晶体感测器，耦合于该驱动装置，并受其控制而执行线性移动的进给行程，该进给行程使该硅晶体感测器进入反应室内并抵达一感测硅晶体的位置；一行程感测装置与该驱动装置耦合，量测上述进给行程的位移量，并将该位移量输出至该控制系统，该控制系统利用该位移量换算成该硅晶体的长成速率。
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