[实用新型]一种半导体芯片封装结构有效
| 申请号： | 201020268073.6 | 申请日： | 2010-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN201887035U | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 范爱民 | 申请（专利权）人： | 西安能讯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/02 | 分类号： | H01L23/02;H01L23/16;H01L23/28 |
| 代理公司： | 西安西交通盛知识产权代理有限责任公司 61217 | 代理人： | 黄瑞华 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体芯片封装结构，该半导体芯片被真空包覆于包覆体中，所述半导体芯片可以是氮化镓晶体管、氮化镓放大器模块或者氮化镓单片微波集成电路，上述氮化镓晶体管由下至上依次包括基片、半导体层和隔离层，该氮化镓晶体管还包括源极、漏极和栅极，所述源极和漏极设置于所述隔离层上且电性连接所述半导体层，所述栅极设置于所述隔离层上，所述栅极位于所述源极和漏极之间。上述氮化镓晶体管真空封装于包覆体中，真空条件下，在器件表面不设置钝化层或者设置很薄的一层钝化层均可以消除所封氮化镓晶体管的电流崩塌效应，同时可以减小所封装氮化镓晶体管的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片封装结构，其特征在于：包括半导体芯片和包覆体(9)，所述半导体芯片被真空包覆于所述包覆体(9)中，所述半导体芯片为氮化镓芯片。
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