[实用新型]用于在退火工艺中放置晶圆的工艺设备有效
| 申请号： | 201020266002.2 | 申请日： | 2011-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN201946582U | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种用于在退火工艺中放置晶圆的工艺设备，用于退火工艺中放置晶圆，所述工艺设备位于反应腔内，包括放置环和支撑圆筒，所述晶圆放置于所述放置环上，所述放置环放置于所述支撑圆筒上，所述放置环的边缘设有第一刻度标记，所述支撑圆筒的边缘设有第二刻度标记，所述第一刻度标记与所述第二刻度标记相匹配。本实用新型中所述工艺设备，可以较准确地调节所述工艺设备中所述放置环与所述支撑圆筒的位置关系，从而在退火工艺中提高晶圆的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 退火 工艺 放置 工艺设备 | ||
【主权项】：
一种用于在退火工艺中放置晶圆的工艺设备，所述工艺设备位于反应腔内，包括放置环和支撑圆筒，所述晶圆放置于所述放置环上，所述放置环放置于所述支撑圆筒上，其特征在于，所述放置环的边缘设有第一刻度标记，所述支撑圆筒的边缘设有第二刻度标记，所述第一刻度标记与所述第二刻度标记相匹配。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201020266002.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
