[实用新型]用于在退火工艺中放置晶圆的工艺设备有效
| 申请号： | 201020266002.2 | 申请日： | 2011-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN201946582U | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 退火 工艺 放置 工艺设备 | ||
1.一种用于在退火工艺中放置晶圆的工艺设备，所述工艺设备位于反应腔内，包括放置环和支撑圆筒，所述晶圆放置于所述放置环上，所述放置环放置于所述支撑圆筒上，其特征在于，所述放置环的边缘设有第一刻度标记，所述支撑圆筒的边缘设有第二刻度标记，所述第一刻度标记与所述第二刻度标记相匹配。
2.如权利要求1所述的用于在退火工艺中放置晶圆的工艺设备，其特征在于，还包括磁悬浮圆筒、反射平台和支撑台；所述反射平台与反应腔室相连，所述反射平台悬置于所述磁悬浮圆筒正上方；所述支撑圆筒悬置于所述反射平台正上方；所述支撑台固定连接于所述磁悬浮圆筒顶部，并悬置于所述放置环上方。
3.如权利要求1所述的用于在退火工艺中放置晶圆的工艺设备，其特征在于，所述放置环和所述支撑圆筒的刻度标记均为角度刻度，最小测量精度为0.5°或者1°。
4.如权利要求1所述的用于在退火工艺中放置晶圆的工艺设备，其特征在于，所述放置环的材质为碳化硅。
5.如权利要求1所述的用于在退火工艺中放置晶圆的工艺设备，其特征在于，所述支撑圆筒的材质为碳化硅。
6.如权利要求1所述的用于在退火工艺中放置晶圆的工艺设备，其特征在于，所述放置环边缘还设置多个缺角标记。
7.如权利要求1所述的用于在退火工艺中放置晶圆的工艺设备，其特征在于，所述放置环边缘还设置多个销钉标记。
8.如权利要求1所述的用于在退火工艺中放置晶圆的工艺设备，其特征在于，所述支撑圆筒边缘还设置多个缺角标记。
9.如权利要求1所述的用于在退火工艺中放置晶圆的工艺设备，其特征在于，所述支撑圆筒边缘还设置多个销钉标记。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
