[实用新型]禹式高防护可控硅控制电路无效
| 申请号： | 201020207251.4 | 申请日： | 2010-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN201699406U | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 黄莹;许国京 | 申请（专利权）人： | 许国京 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 310022 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种禹式高防护可控硅控制电路，包括电源POWER、熔断器FU、电容C、电阻R1和负载L相连构成的串联电路及取样电路、触发电路、可控硅，取样电路并联在电容C和电阻R1的串联电路上，可控硅B的两个阳极分别和取样电路的两端并接，可控硅B的控制极g和一个阳极分别与控制光耦A的两个输出脚相连，控制光耦A的一个输出脚经电阻R3和可控硅B的控制极g相连，触发电路的一端连接到取样电路上，触发电路的另一端与控制光耦A和电阻R3的并接点相连。本实用新型将防堵和疏导相结合，当冲击的能量超出常规电路的防堵保护能力时，会触发可控硅主动导通，从而确保可控硅不被击穿，保证了工业负载控制系统的正常使用。 | ||
| 搜索关键词： | 禹式高 防护 可控硅 控制电路 | ||
【主权项】：
一种禹式高防护可控硅控制电路，包括电源POWER、熔断器FU、电容C、电阻R1和负载L相连构成的串联电路，取样电路（1）并联在电容C和电阻R1的串联电路上，可控硅B的两个阳极分别和所述的取样电路（1）的两端并接，可控硅B的控制极g和一个阳极分别与控制光耦A的两个输出脚相连，其特征在于还包括一个触发电路（2），所述的控制光耦A的一个输出脚经电阻R3和可控硅B的控制极g相连，所述的触发电路（2）的一端连接到所述的取样电路（1）上，触发电路（2）的另一端与控制光耦A和电阻R3的并接点相连。
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