[实用新型]禹式高防护可控硅控制电路

权利要求书

1. 一种禹式高防护可控硅控制电路，包括电源POWER、熔断器FU、电容C、电阻R1和负载L相连构成的串联电路，取样电路（1）并联在电容C和电阻R1的串联电路上，可控硅B的两个阳极分别和所述的取样电路（1）的两端并接，可控硅B的控制极g和一个阳极分别与控制光耦A的两个输出脚相连，其特征在于还包括一个触发电路（2），所述的控制光耦A的一个输出脚经电阻R3和可控硅B的控制极g相连，所述的触发电路（2）的一端连接到所述的取样电路（1）上，触发电路（2）的另一端与控制光耦A和电阻R3的并接点相连。

2.根据权利要求1所述的禹式高防护可控硅控制电路，其特征在于所述的可控硅B的第二阳极t2与熔断器FU和电容C的并接点相连，可控硅B的第二阳极t2还与所述的控制光耦A的一个输出脚相连，可控硅B的第一阳极t1与电阻R1和负载L的并接点相连，控制光耦A的另一个输出脚经电阻R3和可控硅B的控制极g相连。

3.根据权利要求2所述的禹式高防护可控硅控制电路，其特征在于所述的可控硅B的第一阳极t1和可控硅B的控制极g之间连接有电阻R4。

4.根据权利要求1或2或3所述的禹式高防护可控硅控制电路，其特征在于所述的触发电路（2）为触发管或电阻或电容或RC组合元件。

5.根据权利要求1或2或3所述的禹式高防护可控硅控制电路，其特征在于所述的取样电路（1）为电压敏感器件Z或者电压敏感器件Z和功率电阻R2的串联电路。