[实用新型]采用纳米压印技术的Ⅲ族氮化物半导体发光装置无效
| 申请号： | 201020197031.8 | 申请日： | 2010-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN201766094U | 公开（公告）日： | 2011-03-16 |
| 发明（设计）人： | 胡建正;武乐可;李忠武 | 申请（专利权）人： | 上海蓝宝光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201616*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种采用纳米压印技术的Ⅲ族氮化物半导体发光装置。本实用新型通过采用纳米压印技术制作的绝缘膜图形阵列进行氮化物的选择外延生长，获得了具有较高的外部量子效率、内量子效率以及可靠性的Ⅲ族氮化物半导体发光装置比如GaN系LED或LD。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 纳米 压印 技术 氮化物 半导体 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种Ⅲ族氮化物半导体发光装置，其包括：基板；缓冲层，其位于所述基板上；n型接触层，其位于所述缓冲层上，由n型Ⅲ族氮化物半导体构成；活性层，其位于所述n型接触层上并覆盖所述n型接触层的部分表面，由所述n型Ⅲ族氮化物半导体的阱层和垒层交互层叠形成的多量子阱所构成；n型电极层，其位于所述n型接触层未被所述活性层覆盖的上表面上；电子阻挡层，其位于所述活性层上；p型接触层，其位于所述电子阻挡层上，由p型Ⅲ族氮化物半导体构成；p型电极层，其位于所述p型接触层上；其特征在于，所述Ⅲ族氮化物半导体发光装置还包括采用纳米压印技术制作的绝缘膜图形阵列，构成所述绝缘膜图形阵列的绝缘膜材质为二氧化硅或者氮化硅，其中所述n型接触层分为第一n型接触层部分和第二n型接触层部分，所述绝缘膜图形阵列位于所述第一n型接触层部分与所述第二n型接触层部分之间。
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