[实用新型]采用纳米压印技术的Ⅲ族氮化物半导体发光装置

权利要求书

1.一种Ⅲ族氮化物半导体发光装置，其包括：

基板；

缓冲层，其位于所述基板上；

n型接触层，其位于所述缓冲层上，由n型Ⅲ族氮化物半导体构成；

活性层，其位于所述n型接触层上并覆盖所述n型接触层的部分表面，由所述n型Ⅲ族氮化物半导体的阱层和垒层交互层叠形成的多量子阱所构成；

n型电极层，其位于所述n型接触层未被所述活性层覆盖的上表面上；

电子阻挡层，其位于所述活性层上；

p型接触层，其位于所述电子阻挡层上，由p型Ⅲ族氮化物半导体构成；

p型电极层，其位于所述p型接触层上；其特征在于，

所述Ⅲ族氮化物半导体发光装置还包括采用纳米压印技术制作的绝缘膜图形阵列，构成所述绝缘膜图形阵列的绝缘膜材质为二氧化硅或者氮化硅，其中

所述n型接触层分为第一n型接触层部分和第二n型接触层部分，所述绝缘膜图形阵列位于所述第一n型接触层部分与所述第二n型接触层部分之间。

2.一种Ⅲ族氮化物半导体发光装置，其包括：

基板；

缓冲层，其位于所述基板上，由Ⅲ族氮化物半导体构成；

n型接触层，其位于所述缓冲层上，由n型Ⅲ族氮化物半导体构成；

活性层，其位于所述n型接触层上并覆盖所述n型接触层的部分表面，由所述n型Ⅲ族氮化物半导体的阱层和垒层交互层叠形成的多量子阱所构成；

n型电极层，其位于所述n型接触层未被所述活性层覆盖的上表面上；

电子阻挡层，其位于所述活性层上；

p型接触层，其位于所述电子阻挡层上，由p型Ⅲ族氮化物半导体构成；

p型电极层，其位于所述p型接触层上；其特征在于，

所述Ⅲ族氮化物半导体发光装置还包括采用纳米压印技术制作的绝缘膜图形阵列，构成所述绝缘膜图形阵列的绝缘膜材质为二氧化硅或者氮化硅，其中

所述绝缘膜图形阵列位于所述基板与所述缓冲层之间。 

3.一种Ⅲ族氮化物半导体发光装置，其包括：

基板；

缓冲层，其位于所述基板上；

p型接触层，其位于所述缓冲层上，由p型Ⅲ族氮化物半导体构成；

活性层，其位于所述p型接触层上并覆盖所述p型接触层的部分表面，由所述p型Ⅲ族氮化物半导体的阱层和垒层交互层叠形成的多量子阱所构成；

p型电极层，其位于所述p型接触层未被所述活性层覆盖的上表面上；

电子阻挡层，其位于所述活性层上；

n型接触层，其位于所述电子阻挡层上，由n型Ⅲ族氮化物半导体构成；

n型电极层，其位于所述n型接触层上；其特征在于，

所述Ⅲ族氮化物半导体发光装置还包括采用纳米压印技术制作的绝缘膜图形阵列，构成所述绝缘膜图形阵列的绝缘膜材质为二氧化硅或者氮化硅，其中

所述p型接触层分为第一p型接触层部分和第二p型接触层部分，所述绝缘膜图形阵列位于所述第一p型接触层部分与所述第二p型接触层部分之间。

4.一种Ⅲ族氮化物半导体发光装置，其包括：

基板；

缓冲层，其位于所述基板上，由Ⅲ族氮化物半导体构成；

p型接触层，其位于所述缓冲层上，由p型Ⅲ族氮化物半导体构成；

活性层，其位于所述p型接触层上并覆盖所述p型接触层的部分表面，由所述p型Ⅲ族氮化物半导体的阱层和垒层交互层叠形成的多量子阱所构成；

p型电极层，其位于所述p型接触层未被所述活性层覆盖的上表面上；

电子阻挡层，其位于所述活性层上；

n型接触层，其位于所述电子阻挡层上，由n型Ⅲ族氮化物半导体构成；

n型电极层，其位于所述n型接触层上；其特征在于，

所述Ⅲ族氮化物半导体发光装置还包括采用纳米压印技术制作的绝缘膜图形阵列，构成所述绝缘膜图形阵列的绝缘膜材质为二氧化硅或者氮化硅，其中

所述绝缘膜图形阵列位于所述基板与所述缓冲层之间。

5.如权利要求1～4中任一项所述的Ⅲ族氮化物半导体发光装置，其特征在于，所述绝 缘膜图形阵列的特征尺寸的范围为1纳米～10微米，即各个图形单元的长、宽、高、直径、以及相邻图形单元的间距均为1纳米～10微米。

6.如权利要求1～4中任一项所述的Ⅲ族氮化物半导体发光装置，其特征在于，由所述绝缘膜图形阵列与位于所述绝缘膜图形阵列上的层所构成的层被交替形成。