[实用新型]碳化硅基复合衬底无效
| 申请号： | 201020168783.1 | 申请日： | 2010-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN201741712U | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 施建江;杨少延;刘祥林 | 申请（专利权）人： | 杭州海鲸光电科技有限公司;施建江 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陶凤波;屈玉华 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州市萧山*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种用于制备氮化物半导体外延材料的碳化硅基复合衬底。该碳化硅基复合衬底包含一碳化硅单晶基底；一复合应力协变层，覆盖在所述碳化硅单晶基底上，由多层氮化钛单晶薄膜材料和多层氮化铝单晶薄膜材料交替堆叠构成；一氮化镓模板层，生长在所述复合应力协变层上，由氮化镓单晶薄膜材料构成。本实用新型对碳化硅基氮化镓材料晶格失配问题的缓解和热失配问题的克服具有积极效果，能够大幅度提高碳化硅基底上制备的氮化镓LED外延片材料的性能和良品率，适合应用与市场推广。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 复合 衬底 | ||
【主权项】：
一种用于制备氮化物半导体外延材料的碳化硅基复合衬底，其特征在于，包含：一碳化硅单晶基底；一复合应力协变层，覆盖在所述碳化硅单晶基底上，由多层氮化钛单晶薄膜材料和多层氮化铝单晶薄膜材料交替堆叠构成；一氮化镓模板层，生长在所述复合应力协变层上，由氮化镓单晶薄膜材料构成。
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