[实用新型]碳化硅基复合衬底

权利要求书

1.一种用于制备氮化物半导体外延材料的碳化硅基复合衬底，其特征在于，包含：

一碳化硅单晶基底；

一复合应力协变层，覆盖在所述碳化硅单晶基底上，由多层氮化钛单晶薄膜材料和多层氮化铝单晶薄膜材料交替堆叠构成；

一氮化镓模板层，生长在所述复合应力协变层上，由氮化镓单晶薄膜材料构成。

2.根据权利要求1所述的用于制备氮化物半导体外延材料的碳化硅基复合衬底，其特征在于，所述复合应力协变层中每层氮化钛单晶薄膜材料的厚度为5～30nm。

3.根据权利要求1所述的用于制备氮化物半导体外延材料的碳化硅基复合衬底，其特征在于，所述复合应力协变层中每层所述氮化铝单晶薄膜材料的厚度不小于每层所述氮化钛单晶薄膜材料的厚度的3倍。

4.根据权利要求1所述的用于制备氮化物半导体外延材料的碳化硅基复合衬底，其特征在于，在所述复合应力协变层中与所述碳化硅单晶基底接触的层为所述氮化钛单晶薄膜材料。

5.根据权利要求1所述的用于制备氮化物半导体外延材料的碳化硅基复合衬底，其特征在于，在所述复合应力协变层中与所述氮化镓模板层接触的层为所述氮化铝单晶薄膜材料。

6.根据权利要求1所述的用于制备氮化物半导体外延材料的碳化硅基复合衬底，其特征在于，所述氮化钛单晶薄膜材料的层数为1～10层，所述氮化铝单晶薄膜材料的层数与所述氮化钛单晶薄膜材料的层数相同。

7.根据权利要求1所述的用于制备氮化物半导体外延材料的碳化硅基复合衬底，其特征在于，所述氮化镓模板层的厚度不小于2μm。