[实用新型]一种砷化铟红外光伏电池无效
申请号: | 201020149733.9 | 申请日: | 2010-04-02 |
公开(公告)号: | CN201749863U | 公开(公告)日: | 2011-02-16 |
发明(设计)人: | 邓惠勇;王奇伟;吴杰;胡淑红;郭少令;陈鑫;戴宁 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/058 | 分类号: | H01L31/058;H01L31/0304;H01L31/18 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 20008*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本专利公开了一种砷化铟红外光伏电池,该电池包括非掺杂n型InAs单晶衬底,在衬底上外延p型InAs单晶薄膜,蒸镀在p型薄膜表面的栅状Au前电极,以及蒸镀在衬底背面的全覆盖的Au背电极。p型InAs外延薄膜采用液相外延的方法制备,溶剂为In,溶质为InAs,掺杂剂为Zn。电极采用离子束溅射的方法制备。本专利的优点是:可以用作转换1~3μm波长范围的太阳辐射的太阳电池,拓宽了太阳电池的光谱利用范围,也可以用作转换热源温度为1000~3000K的热光伏器件;其次本实用新型结构简单,电池参数可以很容易通过调节工艺参数控制,制备成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 砷化铟 红外光 电池 | ||
【主权项】:
一种砷化铟红外光伏电池,包括:背电极(1)、衬底(2)、p型外延层(3)与栅状前电极(4),其特征在于:所述的p型外延层(3)的InAs厚度为1~3μm;所述的背电极(1)与栅状前电极(4)所用的电极材料为Au,厚度为30~50nm;所述的栅状前电极(4)的覆盖面积为5~20%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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