[实用新型]一种砷化铟红外光伏电池无效

专利信息
申请号: 201020149733.9 申请日: 2010-04-02
公开(公告)号: CN201749863U 公开(公告)日: 2011-02-16
发明(设计)人: 邓惠勇;王奇伟;吴杰;胡淑红;郭少令;陈鑫;戴宁 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: H01L31/058 分类号: H01L31/058;H01L31/0304;H01L31/18
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 郭英
地址: 20008*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 专利公开了一种砷化铟红外光伏电池,该电池包括非掺杂n型InAs单晶衬底,在衬底上外延p型InAs单晶薄膜,蒸镀在p型薄膜表面的栅状Au前电极,以及蒸镀在衬底背面的全覆盖的Au背电极。p型InAs外延薄膜采用液相外延的方法制备,溶剂为In,溶质为InAs,掺杂剂为Zn。电极采用离子束溅射的方法制备。本专利的优点是:可以用作转换1~3μm波长范围的太阳辐射的太阳电池,拓宽了太阳电池的光谱利用范围,也可以用作转换热源温度为1000~3000K的热光伏器件;其次本实用新型结构简单,电池参数可以很容易通过调节工艺参数控制,制备成本低。
搜索关键词: 一种 砷化铟 红外光 电池
【主权项】:
一种砷化铟红外光伏电池,包括:背电极(1)、衬底(2)、p型外延层(3)与栅状前电极(4),其特征在于:所述的p型外延层(3)的InAs厚度为1~3μm;所述的背电极(1)与栅状前电极(4)所用的电极材料为Au,厚度为30~50nm;所述的栅状前电极(4)的覆盖面积为5~20%。
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