[实用新型]单片功率运算放大器无效
| 申请号： | 201020100559.9 | 申请日： | 2010-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN201601656U | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 彭焕先;罗志勇 | 申请（专利权）人： | 锦州七七七微电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20 |
| 代理公司： | 锦州辽西专利事务所 21225 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 121000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种单片功率运算放大器，包括金属管壳和单片运算放大器芯片，其特殊之处是：所述的金属管壳为菱形功率管壳，在单片运算放大器芯片背面设有钛镍银多层电极，所述的单片运算放大器芯片通过铅锡银合金粘片粘接在金属管壳上，在金属管壳上还设有二个薄膜过渡基片，在薄膜过度基片上面设有导带，在单片功率运算放大器芯片上对应键合点和导带之间以及在管腿和对应的导带之间键合有硅铝丝。其优点是：输出电流大，可靠性高，在±15V电源电压下可以长时间工作在150mA～200mA的输出电流的状态，并且可以输出大于325mA的电流，完全满足了电压调节器、音频放大器、伺服放大电路和功率驱动电路的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 功率 运算放大器 | ||
【主权项】：
一种单片功率运算放大器，包括金属管壳和单片运算放大器芯片，其特征是：所述的金属管壳为菱形功率管壳，在单片运算放大器芯片背面设有钛镍银多层电极，所述的单片运算放大器芯片通过铅锡银合金粘片粘接在金属管壳上，在金属管壳上还设有二个薄膜过渡基片，在薄膜过度基片上面设有导带，在单片功率运算放大器芯片上对应键合点和导带之间以及在管腿和对应的导带之间键合有硅铝丝。
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