[发明专利]气密陶瓷层结构与制造方法无效
| 申请号： | 201010623383.X | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102176434A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 林庭炜 | 申请（专利权）人： | 苏州达方电子有限公司;达方电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/04 | 分类号： | H01L23/04;H01L23/08;H01L21/48;C04B35/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215011 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明关于一种气密陶瓷层结构与制造方法，该气密陶瓷层结构包括结构体、至少一气密板层以及复数个导热柱。该结构体由复数个互相堆叠的陶瓷基材板层所构成，该结构体具有中空部，该中空部用以容纳晶片；该至少一气密板层设置于该复数个陶瓷基材板层的其中二者之间，且该气密板层的收缩率与该复数个陶瓷基材板层的收缩率相差0.2％～1.2％；该复数个导热柱垂直贯穿该复数个陶瓷基材板层与该气密板层，该晶片所产生的热能经由该复数个导热柱对外排出。本发明的气密陶瓷层结构，藉由两种基材板层的收缩曲线的不同，而避免同时产生裂缝的问题，也不会有在导热孔边缘产生上到下裂缝，造成产品漏气的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 气密 陶瓷 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种气密陶瓷层结构，其特征在于包括：结构体，由复数个互相堆叠的陶瓷基材板层所构成，该结构体具有中空部，该中空部用以容纳晶片；至少一气密板层，设置于该复数个陶瓷基材板层的其中二者之间，且该气密板层的收缩率与该复数个陶瓷基材板层的收缩率相差0.2％～1.2％；以及复数个导热柱，垂直贯穿该复数个陶瓷基材板层与该气密板层，该晶片所产生的热能经由该复数个导热柱对外排出。
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