[发明专利]气密陶瓷层结构与制造方法

权利要求书

1.一种气密陶瓷层结构，其特征在于包括：

结构体，由复数个互相堆叠的陶瓷基材板层所构成，该结构体具有中空部，该中空部用以容纳晶片；

至少一气密板层，设置于该复数个陶瓷基材板层的其中二者之间，且该气密板层的收缩率与该复数个陶瓷基材板层的收缩率相差0.2％～1.2％；以及

复数个导热柱，垂直贯穿该复数个陶瓷基材板层与该气密板层，该晶片所产生的热能经由该复数个导热柱对外排出。

2.根据权利要求1所述的气密陶瓷层结构，其特征在于：每一个陶瓷基材板层为低温共烧陶瓷基材板层。

3.根据权利要求1所述的气密陶瓷层结构，其特征在于：每一个陶瓷基材板层包括氧化铅、氧化铝与氧化硅，或上述至少二者的组合。

4.根据权利要求1所述的气密陶瓷层结构，其特征在于：该至少一气密板层包括氧化铝、硅、碳酸钙、氧化镁、碳酸钾、氧化锆与氧化硼，或上述至少二者的组合。

5.根据权利要求4所述的气密陶瓷层结构，其特征在于：该氧化铝的重量百分比至少为50％；或者该硅的重量百分比至少为25％；或者该碳酸钙与该氧化锆的重量百分比至少为5％；或者该氧化镁与该碳酸钾的重量百分比至少为1％；或者该氧化硼的重量百分比至多为5％。

6.根据权利要求1所述的气密陶瓷层结构，其特征在于：该气密陶瓷层结构还包括盖体，该盖体藉由封合材料黏合于该结构体，使该中空部与外界空气隔绝。

7.一种气密陶瓷层的制造方法，其特征在于包括：

提供由复数个互相堆叠的陶瓷基材板层所构成的结构体，该结构体具有中空部，该中空部用以容纳晶片；

设置至少一气密板层于该复数个陶瓷基材板层的其中二者之间，且该气密板层的收缩率与该该复数个陶瓷基材板层的收缩率相差0.2％～1.2％；以及

提供垂直贯穿该复数个陶瓷基材板层与该气密板层的复数个导热柱，该晶片所产生的热能经由该复数个导热柱对外排出。

8.根据权利要求7所述的气密陶瓷层的制造方法，其特征在于：每一个陶瓷基材板层为低温共烧陶瓷基材板层。

9.根据权利要求7项所述的气密陶瓷层的制造方法，其特征在于：该制造方法还包括：

提供盖体，该盖体藉由封合材料黏合于该结构体，使该中空部与外界空气隔绝。

10.根据权利要求7所述的气密陶瓷层的制造方法，其特征在于：每一个基材板层包括氧化铅、氧化铝与氧化硅，或上述至少二者的组合。

11.根据权利要求7所述的气密陶瓷层的制造方法，其特征在于：该至少一气密板层包括氧化铝、硅、碳酸钙、氧化镁、碳酸钾、氧化锆与氧化硼，或上述至少二者的组合。

12.根据权利要求11所述的气密陶瓷层的制造方法，其特征在于：该氧化铝的重量百分比至少为50％；或者该硅的重量百分比至少为25％；或者该碳酸钙与该氧化锆的重量百分比至少为5％；或者该氧化镁与该碳酸钾的重量百分比至少为1％；或者该氧化硼的重量百分比至多为5％。