[发明专利]一种大功率GaN基发光二极管及其制作方法

摘要

一种大功率GaN基发光二极管及其制作方法，涉及光电技术领域。本发明发光二极管发光结构上方为透明导电层，透明导电层上的一端置有P型电极，N型半导体层上、与P型电极相对的另一端置有N型电极，形成发光二极管芯片。其结构特点是，所述发光二极管芯片通过分割道分隔为至少两个以上至多个小发光二极管。各小发光二极管之间通过金属电极连接，各小发光二极管之间相接处置有避免同一小发光二极管的P、N电极之间短路的绝缘层。同现有技术相比，本发明将发光二极管分隔为两个以上至多个的面积更小的发光二极管，可以提高大电流注入下的电流注入效率，有效提高发光二极管器件的发光效率和可靠性。

主权项

一种大功率GaN基发光二极管，它包括基板(21)以及置于基板(21)上方的依次由N半导体层(221)、有源发光层(222)和P型半导体层(223)相叠加组成的发光结构，发光结构上方为透明导电层(23)，透明导电层(23)上的一端置有P型电极(242)，N型半导体层(221)上、与P型电极(242)相对的另一端置有N型电极(241)而形成发光二极管芯片(2)，其特征在于，所述发光二极管芯片(2)通过分割道(33)分隔为至少两个以上小发光二极管(3)，各小发光二极管(3)之间通过金属电极(34)连接，各小发光二极管(3)之间相接处置有避免同一小发光二极管(3)的P、N电极之间短路的绝缘层(30)。