[发明专利]一种大功率GaN基发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种大功率GaN基发光二极管，它包括基板(21)以及置于基板(21)上方的依次由N半导体层(221)、有源发光层(222)和P型半导体层(223)相叠加组成的发光结构，发光结构上方为透明导电层(23)，透明导电层(23)上的一端置有P型电极(242)，N型半导体层(221)上、与P型电极(242)相对的另一端置有N型电极(241)而形成发光二极管芯片(2)，其特征在于，所述发光二极管芯片(2)通过分割道(33)分隔为至少两个以上小发光二极管(3)，各小发光二极管(3)之间通过金属电极(34)连接，各小发光二极管(3)之间相接处置有避免同一小发光二极管(3)的P、N电极之间短路的绝缘层(30)。

2.根据权利要求1所述的大功率GaN基发光二极管，其特征在于，所述各小发光二极管(3)之间采用串联、并联或者串联并联相结合的连接方式。

3.根据权利要求1或2所述的大功率GaN基发光二极管，其特征在于，所述分割道(33)的深度大于或者等于为获得N型欧姆接触区而暴露出N-GaN区时的刻蚀深度，分隔道(33)的宽度大于10μm。

4.根据权利要求3所述的大功率GaN基发光二极管，其特征在于，所述小发光二极管(3)的形状为正方形、长方形或者平行四边形，小发光二极管(3)的面积大于100μm×100μm。

5.根据权利要求4所述的大功率GaN基发光二极管，其特征在于，所述绝缘层(30)采用SiO₂或者SiN材料。

6.一种大功率GaN基发光二极管的制作方法，其步骤为：

1)在基板(21)上用金属有机化合物化学气相淀积技术分别外延生长N型半导体层(221)、有源发光层(222)以及P型半导体层(223)，形成发光二极管芯片(2)；

2)利用光刻和干法刻蚀技术刻蚀出各小发光二极管(3)的分隔道(33)；

3)利用光刻和干法刻蚀技术刻蚀出N型接触GaN区；

4)利用光刻和蒸发的方法在P型半导体层(223)上制备透明导电层(23)；

5)利用光刻和沉积的方法在分隔道(33)上各小发光二极管(3)相接的地方制备绝缘层(30)；

6)利用光刻和蒸发的方法制备发光二极管芯片(2)的P型电极(242)、N型电极(241)及各小发光二极管(3)的金属电极(34)；

7)将基板(21)从背面减薄；

8)最后将发光二极管芯片(2)沿设计好的分割道(33)分割成单个管芯。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述基板(21)的厚度从背面减薄到70μm到200μm之间。