[发明专利]一种高反射率的垂直结构发光二极管芯片及其制备方法无效
| 申请号： | 201010621269.3 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102104233A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 黄辉;徐瑾 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187;H01S5/34;H01S5/024 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430223 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高反射率的垂直结构发光二极管芯片，该芯片为单电极结构，包含分布布拉格反射层一DBR，欧姆接触层，低热阻的散热基板，极大的提高出光效率，改善器件的散热能力；制备方法是：首先在衬底上生长外延层，其中外延层包括缓冲层，N型层，多量子阱层以及P型层，P型层图形制作，制作反射层和欧姆接触电极，散热基板的绑定层制作，散热基板与P型层的绑定，蓝宝石衬底的去除，N电极制作，对基板进行减薄，蒸镀金属层形成P电极，圆片测试，划片，分选。本发明制作的芯片能够有效增加光输出，改善芯片的散热能力，提供稳定的光输出功率，实现高流明效率的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反射率 垂直 结构 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高反射率的垂直结构发光二极管芯片，该芯片包括散热基板以及焊接其上的外延层，该外延层包含缓冲层，N型层，多量子阱层，P型层，P型层上有金属反射层，散热基板底部制作金属层作为P电极，N型层上制作N电极，其特征在于：芯片结构是单电极，包含低热阻的散热基板；P型层层叠高反射率的膜‑分布布拉格反射层，同时能够形成欧姆接触电极。
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