[发明专利]一种高反射率的垂直结构发光二极管芯片及其制备方法无效
| 申请号： | 201010621269.3 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102104233A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 黄辉;徐瑾 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187;H01S5/34;H01S5/024 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430223 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 反射率 垂直 结构 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种高反射率的垂直结构发光二极管芯片，该芯片包括散热基板以及焊接其上的外延层，该外延层包含缓冲层，N型层，多量子阱层，P型层，P型层上有金属反射层，散热基板底部制作金属层作为P电极，N型层上制作N电极，其特征在于：芯片结构是单电极，包含低热阻的散热基板；P型层层叠高反射率的膜-分布布拉格反射层，同时能够形成欧姆接触电极。
2.根据权利要求书1所述高反射率的垂直结构发光二极管芯片，其特征在于：P型层上包含分布布拉格反射层与欧姆接触金属层。
3.根据权利要求书1所述高反射率的垂直结构发光二极管芯片，其特征在于：外延层的材料是氮化镓。
4.根据权利要求书1所述高反射率的垂直结构发光二极管芯片，其特征在于：散热基板可以使用金属铜，硅，或者陶瓷。
5.根据权利要求书1所述高反射率的垂直结构发光二极管芯片，其特征在于：基板焊接层的可以使用Au/Sn或者Ti/Au或者Ti/Al/Au。
6.一种高反射率的垂直结构发光二极管芯片的制备方法，其步骤：首先是在衬底上生长外延层，其中外延层包括缓冲层，N型导电层，多量子阱层，P型导电层；外延层的刻穿，钝化层沉积，P型层的光反射层蒸镀，P型层光刻，腐蚀，P型层欧姆接触层蒸镀，散热基板的金属层蒸镀，绑定基板与P型层，衬底去除，N电极制作，基板减薄，P电极制作，P型金属反射层的制作，P型层与基板的绑定，衬底的移除，N电极制作，基板减薄，P电极制作，形成单电极的芯片；对圆片进行测试，划片，分选。
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