[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201010620965.2 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102148257A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 笹川慎也;石塚章广;古川忍;仓田求 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L21/336;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱海煜;王忠忠 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一个实施例是一种薄膜晶体管，它包括：栅电极层；栅绝缘层，设置成使得覆盖栅电极层；第一半导体层，与栅电极层完全重叠；第二半导体层，设置在第一半导体层之上并且与其接触，而且具有比第一半导体层更低的载流子迁移率；杂质半导体层，设置成与第二半导体层接触；侧壁绝缘层，设置成使得覆盖第一半导体层的至少侧壁；以及源和漏电极层，设置成至少与杂质半导体层接触。第二半导体层可由在第一半导体层之上相互分开的部分组成。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：第一布线层；栅绝缘层，设置成使得覆盖所述第一布线层；之间隔着所述栅绝缘层在所述第一布线层之上的第一半导体层，其中所述第一半导体层与所述第一布线层完全重叠；第二半导体层，设置在所述第一半导体层之上并且与其接触，而且具有比所述第一半导体层更低的载流子迁移率；与所述第二半导体层接触的杂质半导体层；侧壁绝缘层，其覆盖所述第一半导体层的至少侧表面；以及至少与所述杂质半导体层接触的第二布线层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010620965.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种山药桂圆甲鱼丸及其制备方法
- 下一篇：一种肉类腌制剂和调理肉的加工方法
- 同类专利
- 专利分类
