[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
申请号: | 201010620965.2 | 申请日: | 2010-12-21 |
公开(公告)号: | CN102148257A | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
发明(设计)人: | 笹川慎也;石塚章广;古川忍;仓田求 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L29/10;H01L21/336;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 朱海煜;王忠忠 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管,包括:
第一布线层;
栅绝缘层,设置成使得覆盖所述第一布线层;
之间隔着所述栅绝缘层在所述第一布线层之上的第一半导体层,其中所述第一半导体层与所述第一布线层完全重叠;
第二半导体层,设置在所述第一半导体层之上并且与其接触,而且具有比所述第一半导体层更低的载流子迁移率;
与所述第二半导体层接触的杂质半导体层;
侧壁绝缘层,其覆盖所述第一半导体层的至少侧表面;以及
至少与所述杂质半导体层接触的第二布线层。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管,其中,附加布线层设置成使得与所述第一半导体层中用作沟道形成区的一部分重叠。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管,其中,另一个侧壁绝缘层设置在因所述第一布线层的厚度而形成的所述栅绝缘层的阶梯之上。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管,
其中,所述第一半导体层是微晶半导体层,
所述第二半导体层包括非晶半导体和微晶半导体,以及
从所述第一半导体层所生长的晶体的尖部达到所述第二半导体层。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管,其中,从所述侧壁绝缘层的表面到所述第一半导体层的表面的距离大于30nm。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管,其中,所述第一半导体层和所述第二半导体层的侧表面具有大于或等于60°但小于或等于90°的锥角。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管,其中,所述侧壁绝缘层通过层叠不同材料的多个层来形成。
8.如权利要求1所述的薄膜晶体管,其中,在所述侧壁绝缘层中,氧化硅层或氧氮化硅层层叠在氮化硅层之上。
9.如权利要求1所述的薄膜晶体管,其中,所述第一布线层比所述第一半导体层要宽。
10.一种薄膜晶体管,包括:
第一布线层;
栅绝缘层,设置成使得覆盖所述第一布线层;
之间隔着所述栅绝缘层在所述第一布线层之上的第一半导体层,其中所述第一半导体层与所述第一布线层完全重叠;
第二半导体层,它们相互分开地设置在所述第一半导体层之上并且与其接触,而且具有比所述第一半导体层更低的载流子迁移率;
与所述第二半导体层接触的杂质半导体层;
侧壁绝缘层,其覆盖所述第一半导体层的至少侧表面;以及
至少与所述杂质半导体层接触的第二布线层。
11.如权利要求10所述的薄膜晶体管,其中,附加布线层设置成使得与所述第一半导体层中的用作沟道形成区的一部分重叠。
12.如权利要求10所述的薄膜晶体管,其中,另一个侧壁绝缘层设置在因所述第一布线层的厚度而形成的所述栅绝缘层的阶梯之上。
13.如权利要求10所述的薄膜晶体管,
其中,所述第一半导体层是微晶半导体层,
所述第二半导体层包括非晶半导体和微晶半导体,以及
从所述第一半导体层所生长的晶体的尖部达到所述第二半导体层。
14.如权利要求10所述的薄膜晶体管,其中,从所述侧壁绝缘层的表面到所述第一半导体层的表面的距离大于30nm。
15.如权利要求10所述的薄膜晶体管,其中,所述第一半导体层和所述第二半导体层的侧表面具有大于或等于60°但小于或等于90°的锥角。
16.如权利要求10所述的薄膜晶体管,其中,所述侧壁绝缘层通过层叠不同材料的多个层来形成。
17.如权利要求10所述的薄膜晶体管,其中,在所述侧壁绝缘层中,氧化硅层或氧氮化硅层层叠在氮化硅层之上。
18.如权利要求10所述的薄膜晶体管,其中,所述第一布线层比所述第一半导体层要宽。
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