[发明专利]一种闪存的测试方法有效
| 申请号： | 201010619789.0 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102543216A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 何永;陈宏领;林岱庆;周第廷;谢振;黄雪青;张宇飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种闪存的测试方法，所述闪存分为若干区块，所述区块中包括若干存储单元，所述测试方法包括以下步骤：设定存储单元栅电压的工作优化范围；读取所述区块中存储单元的栅电压，判断所述区块中存储单元栅电压是否均位于所述工作优化范围内，是则标记为正常区块，否则标记为薄弱区块。对所述薄弱区块进一步测试，以进一步区分正常区块和失效区块；生成测试结果。本发明所述闪存的测试方法是利用存储单元栅电压的工作优化范围初步读取闪存中存储单元的数据找出薄弱存储区块，仅对薄弱存储区块进行进一步测试，生成测试结果。相比现有技术对闪存中所有区块的存储单元进行测试，本发明大大缩短了测试时间和测试成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种闪存的测试方法，所述闪存分为若干区块，所述区块中包括若干存储单元，其特征在于，所述测试方法包括以下步骤：设定存储单元栅电压的工作优化范围；读取所述区块中存储单元的栅电压，判断所述区块中存储单元栅电压是否均位于所述工作优化范围内，是则标记为正常区块，否则标记为薄弱区块；对所述薄弱区块进一步测试，以进一步区分正常区块和失效区块；生成测试结果。
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