[发明专利]一种闪存的测试方法

权利要求书

1.一种闪存的测试方法，所述闪存分为若干区块，所述区块中包括若干存储单元，其特征在于，所述测试方法包括以下步骤：

设定存储单元栅电压的工作优化范围；

读取所述区块中存储单元的栅电压，判断所述区块中存储单元栅电压是否均位于所述工作优化范围内，是则标记为正常区块，否则标记为薄弱区块；

对所述薄弱区块进一步测试，以进一步区分正常区块和失效区块；

生成测试结果。

2.如权利要求1所述的闪存的测试方法，其特征在于，对所述薄弱区块进一步测试，包括对所述薄弱区块进行读取能力、擦除能力和编程能力的测试。

3.如权利要求2所述的闪存的测试方法，其特征在于，对所述薄弱区块进行读取能力、擦除能力和编程能力的测试，包括以下步骤：

对所述薄弱区块进行擦除操作；

对所述薄弱区块进行第一次读取操作，以重新区分为薄弱区块、失效区块和正常区块；

对重新区分后的薄弱区块进行编程操作；

对重新区分后的薄弱区块进行第二次读取操作，以重新区分为薄弱区块、失效区块和正常区块；

对重新区分后的薄弱区块进行擦除操作；

对重新区分后的薄弱区块进行第三次读取操作，以区分失效区块和正常区块。

4.如权利要求3所述的闪存的测试方法，其特征在于，在所述擦除操作和编程操作过程中，若薄弱区块中的任一存储单元操作失败，则标记该薄弱区块为失效区块，并停止该薄弱区块的后续测试。

5.如权利要求3所述的闪存的测试方法，其特征在于，所述第一次读取操作过程包括以下步骤：

判断所述薄弱区块是否擦除成功，将未擦除成功的薄弱区块标记为失效区块；

判断所述擦除成功的薄弱区块中的存储单元的栅电压是否位于工作优化范围内，是则标记为正常区块并停止后续操作，否则标记为薄弱区块继续进行后续操作。

6.如权利要求3所述的闪存的测试方法，其特征在于，所述第二次读取操作过程包括以下步骤：

判断所述薄弱区块是否编程成功，将未编程成功的薄弱区块标记为失效区块；

判断所述编程成功的薄弱区块中的存储单元的栅电压是否位于工作优化范围内，是则标记为正常区块并停止后续操作，否则标记为薄弱区块继续进行后续操作。

7.如权利要求3所述的闪存的测试方法，其特征在于，所述第三次读取操作过程包括以下步骤：

判断所述薄弱区块是否擦除成功，将未擦除成功的薄弱区块标记为失效区块，将擦除成功的薄弱区块标记为正常区块。