[发明专利]一种太阳能级带渣硅料的分离和提纯方法有效
| 申请号： | 201010618464.0 | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102173422A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 汪贺杏;王丽 | 申请（专利权）人： | 上海九晶电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人： | 吕伴 |
| 地址： | 201617 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种太阳能级带渣硅料的分离和提纯方法，其包括如下步骤：1)、用洗洁精擦洗带渣硅料表面，用纯水冲洗干净，烘干；2)、将带渣硅料投炉、抽空、检查冷却水是否畅通，确认正常后方可升温；3)、整个熔融过程的升温分三步进行：第一步：升温加热功率20～30kw，加热时间20-30min；第二步：升温加热功率60-70kw，加热时间20-30min；第三步：升温加热功率90-100kw，直到全熔状态；4)、待带渣硅料全熔后，先拉取一段目标多晶，之后将目标多晶回熔，利用在回熔过程中固态与液态之间的温度差对硅溶液中的固态浮渣进行吸附；5)、将籽晶插入液面下，通过控制温度和拉速引出多晶，然后等径拉制出吊料多晶圆棒；6)、收尾、停炉。本发明经济实用、不引入污染、渣物能够去除彻底。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳 能级 带渣硅料 分离 提纯 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能级带渣硅料的分离和提纯方法，其特征在于，具体包括如下步骤：1)、用百洁布蘸取洗洁精擦洗带渣硅料表面，用纯水冲洗干净，烘干；2)、将带渣硅料投炉、抽空、检查冷却水是否畅通，漏气速率小于0.5pa/min，水压应保持在0.15‑0.18Mpa，确认正常后方可升温；3)、整个熔融过程的升温分三步进行：第一步：升温加热功率20～30kw，加热时间20‑30min；第二步：升温加热功率60‑70kw，加热时间20‑30min；第三步：升温加热功率90‑100kw，直到全熔状态；4)、待带渣硅料全熔后，先拉取一段目标多晶，之后将目标多晶回熔，利用在回熔过程中固态与液态之间的温度差对硅溶液中的固态浮渣进行吸附；5)、将籽晶插入液面下，降低功率至50‑60Kw控制温度在1400℃左右，拉速控制在2.5‑4mm/min，引出多晶，然后等径拉制出吊料多晶圆棒；6)、收尾、停炉。
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