[发明专利]用于微电子系统级封装的高密度转接板的制备方法有效
| 申请号： | 201010617889.X | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102070120A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 尚金堂;于慧;罗新虎;蒋明霞;刘靖东 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 张惠忠 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于微电子系统级封装的高密度转接板的制备方法，包括以下步骤：第一步，制备定向生长的碳纳米管束阵列，碳纳米管束的直径为0.5-30微米，间距为0.8-100微米，长度为40-500微米；第二步，在上述的定向生长碳纳米管束表面沉积金属钨形成导体阵列；第三步，使得硼硅玻璃与导体阵列在硼硅玻璃熔融状态下形成复合体，第四步，对于形成的复合体的上下表面进行磨抛使得沉积金属钨的碳纳米管束端部暴露，从而得到用于系统级封装的高密度转接板。该发明采用的材料的热膨胀系数低，工艺方法耗时短，因而具有高密度、可靠性高、低成本的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 微电子 系统 封装 高密度 转接 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于微电子系统级封装的高密度转接板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，制备定向生长的碳纳米管束阵列(2)，碳纳米管束的直径为0.5‑30微米，间距为0.8‑100微米，长度为40‑500微米；第二步，在上述的定向生长碳纳米管束表面沉积金属钨(1)形成导体阵列；第三步，使得硼硅玻璃(3)与导体阵列在硼硅玻璃熔融状态下形成复合体，第四步，对于形成的复合体的上下表面进行磨抛使得沉积金属钨的碳纳米管束端部暴露，从而得到用于系统级封装的高密度转接板。
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