[发明专利]用于微电子系统级封装的高密度转接板的制备方法

权利要求书

1.一种用于微电子系统级封装的高密度转接板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步，制备定向生长的碳纳米管束阵列(2)，碳纳米管束的直径为0.5-30微米，间距为0.8-100微米，长度为40-500微米；

第二步，在上述的定向生长碳纳米管束表面沉积金属钨(1)形成导体阵列；

第三步，使得硼硅玻璃(3)与导体阵列在硼硅玻璃熔融状态下形成复合体，

第四步，对于形成的复合体的上下表面进行磨抛使得沉积金属钨的碳纳米管束端部暴露，从而得到用于系统级封装的高密度转接板。

2.根据权利要求1所述的用于微电子系统级封装的高密度转接板的制备方法，其特征在于第三步采用负压法使得导体阵列与玻璃形成复合体，具体步骤为：首先将上述所述的金属阵列转移到预先准备的硅腔中，并将硼硅玻璃与硅在真空中进行阳极键合，使得硅腔密封；再将上述键合好的两圆片在一个大气压下加热到玻璃的软化温度以上，熔融玻璃在负压的作用下进入硅腔与所述碳纳米管束阵列形成复合体，冷却，退火。

3.根据权利要求1所述的用于系统级封装的高密度转接板的制备方法，其特征在于，通过等离子增强化学气相沉积的方法合成所述的碳纳米管束阵列。

4.根据权利要求1或2所述的用于系统级封装的高密度转接板的制备方法，其特征在于，碳纳米管束表面沉积金属钨的厚度为0.5-2微米。

5.根据权利要求1或2所述的用于系统级封装的高密度转接板的制备方法，其特征在于，在碳纳米管束表面沉积金属钨的方法为电子束蒸发的方式。

6.根据权利要求1所述的用于系统级封装的高密度转接板的制备方法，其特征在于，所述硼硅玻璃为Pyrex7740玻璃，所述第四步的加热温度为850℃-900℃。

7.根据权利要求1所述的用于微电子系统级封装的高密度转接板的制备方法，其特征在于，所述硼硅玻璃为BOROFLOAT33玻璃。

8.根据权利要求1所述的用于微电子系统级封装的高密度转接板的制备方法，其特征在于，所述第五步的磨抛方法为化学机械腐蚀。