[发明专利]一种EEPROM存储器电路无效
| 申请号： | 201010616038.3 | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102034544A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 张小兴;程兆贤;戴宇杰;吕英杰 | 申请（专利权）人： | 天津南大强芯半导体芯片设计有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300457 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种EEPROM存储器电路，其特征在于它包括Cg端子控制电路、Ag端子控制电路和存储单元电路；其优越性：可以降低RFID TAG存储阵列电路的漏电流；能够极大地降低电路的瞬态功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 eeprom 存储器 电路 | ||
【主权项】：
一种EEPROM存储器电路，其特征在于它包括Cg端子控制电路、Ag端子控制电路和存储单元电路；其中所说的Cg端子控制电路的输入端和Ag端子控制电路的输入端分别接收采集到的数字信号，二者的输出端与存储单元电路的输入端连接。
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