[发明专利]互连结构的制造方法

摘要

一种互连结构的制造方法，通过在干法刻蚀形成金属导线沟槽和湿法清洗金属导线沟槽中的刻蚀残留物之后，利用含氟的酸性溶液湿法清洗所形成金属导线沟槽开口处的氧化硅保护层和氮化钛硬掩模层，去除部分氧化硅和氮化钛，进而使得金属导线沟槽的氧化硅保护层和氮化钛硬掩模层开口宽度与氧化硅保护层下方的低介电常数介质层的开口宽度对应，改善了所形成的金属导线沟槽的形态，利于后续工艺中籽晶层和金属互连线的沉积，提高了所制造半导体器件的性能。

主权项

一种互连结构的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包含内部形成有金属插塞的低介电常数层间介质层，所述半导体衬底上具有形成开口的氮化钛硬掩模层，其中位于所述氮化钛硬掩模层下的半导体衬底部分为氧化硅保护层，所述氮化钛硬掩模层中的开口正对半导体衬底中低介电常数层间介质层内的金属插塞；干法刻蚀所述半导体衬底，以形成暴露出金属插塞的金属导线沟槽，所述金属导线沟槽中氧化硅保护层和氮化钛硬掩模层在金属导线沟槽开口处横向凸起；利用含氟的酸性溶液湿法清洗所述氧化硅保护层和氮化钛硬掩模层，以去除部分氧化硅和氮化钛，使氧化硅保护层和氮化钛硬掩模层的开口宽度与所述金属导线沟槽对应。