[发明专利]互连结构的制造方法

权利要求书

1.一种互连结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包含内部形成有金属插塞的低介电常数层间介质层，所述半导体衬底上具有形成开口的氮化钛硬掩模层，其中位于所述氮化钛硬掩模层下的半导体衬底部分为氧化硅保护层，所述氮化钛硬掩模层中的开口正对半导体衬底中低介电常数层间介质层内的金属插塞；

干法刻蚀所述半导体衬底，以形成暴露出金属插塞的金属导线沟槽，所述金属导线沟槽中氧化硅保护层和氮化钛硬掩模层在金属导线沟槽开口处横向凸起；

利用含氟的酸性溶液湿法清洗所述氧化硅保护层和氮化钛硬掩模层，以去除部分氧化硅和氮化钛，使氧化硅保护层和氮化钛硬掩模层的开口宽度与所述金属导线沟槽对应。

2.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，在半导体衬底中，所述层间介质层和氧化硅保护层之间还形成有氮掺杂碳化硅阻挡层和低介电常数介质层。

3.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述干法刻蚀采用等离子体刻蚀。

4.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述干法刻蚀之后还包含有湿法清洗所述半导体衬底，以去除所述干法刻蚀后的刻蚀残留物。

5.如权利要求4所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述去除刻蚀残留物的湿洗溶液为H₂O、H₂SO₄、H₂O₂和HF的混合溶液。

6.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述利用含氟的酸性溶液湿法清洗氧化硅保护层和氮化钛硬掩模层包括：将半导体衬底包含氧化硅保护层和氮化钛硬掩模层的一面朝下并浸入含氟的酸性溶液，所述含氟的酸性溶液浸没氧化硅保护层和氮化钛硬掩模层；提起所述半导体衬底，将半导体衬底中包含氧化硅保护层和氮化钛硬掩模层的一面朝上。

7.如权利要求6所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述含氟的酸性溶液为HF和H₂O的混合溶液。

8.如权利要求7所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述HF和H₂O的混合溶液中HF和H₂O的体积比为1∶50～1∶100，所述HF和H₂O的混合溶液的温度范围为23～50摄氏度，湿法清洗时间为0.5～3秒。

9.如权利要求6所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述含氟的酸性溶液为NH₄F和HF的混合溶液。

10.如权利要求9所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述NH₄F和HF的混合溶液中NH₄F和HF的体积比为10～500∶1，所述NH₄F和HF混合溶液的温度范围为23～50摄氏度，湿法清洗时间为0.5～3秒。

11.如权利要求6所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述含氟的酸性溶液为NH₄F、HF和H₂O的混合溶液。

12.如权利要求11所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述NH₄F、HF和H₂O的混合溶液中NH₄F、HF和H₂O的体积比为7～10∶1～2∶88～130，所述NH₄F、HF和H₂O的混合溶液的温度范围为23～50摄氏度，湿法清洗时间为0.5～3秒。