[发明专利]晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201010612652.2 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102569394A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/04;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶体管及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有半导体层，所述半导体层的晶向与所述半导体衬底的晶向不同；在所述半导体层上形成伪栅极结构；在所述伪栅极结构两侧的半导体衬底和半导体层内形成源区和漏区；在所述半导体层上形成与所述伪栅极结构齐平的层间介质层；去除所述伪栅极结构，在所述层间介质层内形成开口，所述开口露出下方的半导体层；对所述开口露出的半导体层进行非晶化的步骤，形成沟道层；对所述沟道层进行退火，使得所述沟道层的晶向与所述半导体衬底的晶向相同；在所述开口内形成金属栅极结构，所述金属栅极结构位于所述沟道层上方。提高了晶体管的饱和电流，改善了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有半导体层，所述半导体层的晶向与所述半导体衬底的晶向不同；在所述半导体层上形成伪栅极结构；在所述伪栅极结构两侧的半导体衬底和半导体层内形成源区和漏区；在所述半导体层上形成与所述伪栅极结构齐平的层间介质层；去除所述伪栅极结构，在所述层间介质层内形成开口，所述开口露出下方的半导体层；对所述开口露出的半导体层进行非晶化的步骤，形成沟道层；对所述沟道层进行退火，使得所述沟道层的晶向与所述半导体衬底的晶向相同；在所述开口内形成金属栅极结构，所述金属栅极结构位于所述沟道层上方。
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