[发明专利]发光二极管及其形成方法有效
| 申请号： | 201010609677.7 | 申请日： | 2010-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102544279B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 许嘉麟 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管包括：基板、N型氮化镓薄膜层、绝缘层、N型氮化镓纳米线层、量子阱层以及P型氮化镓纳米线层。该N型氮化镓薄膜层形成在该基板上。该绝缘层形成在该N型氮化镓薄膜层的上，该绝缘层具有一个远离该N型氮化镓薄膜层的上表面，该绝缘层的上表面上形成至少一个凹槽，以使该N型氮化镓薄膜层具有暴露在该凹槽的部分。该N型氮化镓纳米线层形成在该绝缘层的至少一个凹槽内，且该N型氮化镓纳米线层的端部突出在该绝缘层外。该量子阱层包覆该N型氮化镓纳米线层突出在绝缘层外的部分。该P型氮化镓纳米线层包覆于该量子阱层。本发明还涉及一种发光二极管的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其特征在于，该发光二极管包括：基板；N型氮化镓薄膜层，其形成在该基板上；绝缘层，其形成在该N型氮化镓薄膜层的上，该绝缘层具有一个远离该N型氮化镓薄膜层的上表面，该绝缘层的上表面上形成至少一个凹槽，以使该N型氮化镓薄膜层具有暴露在该凹槽的部分；N型氮化镓纳米线层，其形成在该绝缘层的至少一个凹槽内，且该N型氮化镓纳米线层的端部突出在该绝缘层外；量子阱层，其包覆该N型氮化镓纳米线层突出在绝缘层外的部分；及P型氮化镓纳米线层，其包覆于该量子阱层，还包括一个P型透明电极层及形成在P型氮化镓纳米线层的远离该量子阱层的一端的P型氧化锌纳米线层，所述P型透明电极层包覆该P型氧化锌纳米线层暴露在外的整个表面以及该P型氮化镓纳米线层暴露在外的整个表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司，未经鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010609677.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
