[发明专利]发光二极管及其形成方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，该发光二极管包括：

基板；

N型氮化镓薄膜层，其形成在该基板上；

绝缘层，其形成在该N型氮化镓薄膜层的上，该绝缘层具有一个远离该N型氮化镓薄膜层的上表面，该绝缘层的上表面上形成至少一个凹槽，以使该N型氮化镓薄膜层具有暴露在该凹槽的部分；

N型氮化镓纳米线层，其形成在该绝缘层的至少一个凹槽内，且该N型氮化镓纳米线层的端部突出在该绝缘层外；

量子阱层，其包覆该N型氮化镓纳米线层突出在绝缘层外的部分；及

P型氮化镓纳米线层，其包覆于该量子阱层。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该发光二极管进一步包括一个P型透明电极层，该P型透明电极层覆盖该P型氮化镓纳米线层的外表面。

3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，该发光二极管进一步包括一个P型氧化锌纳米线层，该P型氧化锌纳米线层形成在该P型氮化镓纳米线层的远离该量子阱层的一端，该P型透明电极层覆盖P型氧化锌纳米线层。

4.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，P型透明电极层为P型掺杂镓氧化锌层。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该绝缘层为二氧化硅薄膜。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该绝缘层上的至少一个凹槽是利用阳极氧化铝模板作为掩膜在绝缘层上蚀刻而成。

7.一种发光二极管的形成方法，其包括：

提供一个基板；

在该基板上形成一个N型氮化镓薄膜层；

在该N型氮化镓薄膜层上形成一个绝缘层，该绝缘层具有一个远离该N型氮化镓薄膜层的上表面，该绝缘层的上表面上形成有至少一个凹槽，以使该N型氮化镓薄膜层具有暴露在该凹槽的部分；

在该绝缘层的至少一个凹槽内形成N型氮化镓纳米线层，且

该N型氮化镓纳米线层的端部突出在该绝缘层外；

在该N型氮化镓纳米线突出在绝缘层外的部分上形成量子阱层；

在该量子阱层上形成P型氮化镓纳米线层，该P型氮化镓纳米线层包覆于该量子阱层。

8.如权利要求7所述的发光二极管的形成方法，其特征在于，在该P型氮化镓纳米线层的外表面上形成一个P型透明电极层。

9.如权利要求8所述的发光二极管的形成方法，其特征在于，在该P型氮化镓纳米线层的远离该量子阱层的一端形成一个P型氧化锌纳米线层，该P型透明电极层覆盖P型氧化锌纳米线层。

10.如权利要求7所述的发光二极管的形成方法，其特征在于，该绝缘层上的至少一个凹槽是利用阳极氧化铝模板作为掩膜在绝缘层上蚀刻而成。