[发明专利]太阳能电池硅基片表面处理方法和太阳能电池的制造方法有效
申请号: | 201010609000.3 | 申请日: | 2010-12-20 |
公开(公告)号: | CN102403397A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 金炳埈 | 申请(专利权)人: | 金炳埈 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人: | 郑青松 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种太阳能电池的晶体硅基片的表面处理方法,以及一种太阳能电池的制造方法。太阳能电池基片的表面处理方法包括使用水溶液蚀刻晶体硅基片而在基片表面上形成多个第一突起的第一表面处理步骤,使用第一蚀刻气体将蚀刻残留物粘附于上表面,即基片表面中的光接收表面上而形成小于第一突起的多个第二突起的第二表面处理步骤,以及移除粘附于已经过所述第二表面处理步骤的基片的上表面上的蚀刻残留物的残留物移除步骤。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 硅基片 表面 处理 方法 制造 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池的基片的表面处理方法,该方法包括:第一表面处理步骤,用于通过使用水溶液蚀刻晶体硅基片而在基片的表面上形成多个第一突起;第二表面处理步骤,用于通过使用第一蚀刻气体将蚀刻残留物粘附于上表面,即基片的表面中的光接收表面上而形成小于所述第一突起的多个第二突起;以及残留物移除步骤,用于移除粘附于已经过所述第二表面处理步骤的基片的上表面上的所述蚀刻残留物。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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