[发明专利]太阳能电池硅基片表面处理方法和太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的基片的表面处理方法，该方法包括：

第一表面处理步骤，用于通过使用水溶液蚀刻晶体硅基片而在基片的表面上形成多个第一突起；

第二表面处理步骤，用于通过使用第一蚀刻气体将蚀刻残留物粘附于上表面，即基片的表面中的光接收表面上而形成小于所述第一突起的多个第二突起；以及

残留物移除步骤，用于移除粘附于已经过所述第二表面处理步骤的基片的上表面上的所述蚀刻残留物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一表面处理步骤中使用的所述水溶液包括HF和HNO₃。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括基片损伤移除步骤，用于在所述第一表面处理步骤之前，通过使用酸性水溶液或碱性水溶液移除形成于从晶体硅锭切下的所述晶体硅基片表面上的损伤。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述晶体硅基片是单晶硅基片或多晶硅基片。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，假设在已经过所述第一表面处理步骤的所述晶体硅基片的表面之中，完全平坦状态下的待形成防反射膜的表面的面积是理想表面积，所述第一表面处理步骤中蚀刻的实际表面积与所述理想表面积之间的比率在1.2～3.2的范围。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述残留物移除步骤中，通过在容纳残留物移除液体的沾湿台内浸渍所述基片，或者通过由滚轴传送所述基片来移除所述蚀刻残留物。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述残留物移除液体是氢氟酸水溶液。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述残留物移除液体包括水或者氢氟酸水溶液，且在实施所述残留物移除步骤时对所述残留物移除液体施加超声波。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述残留物移除步骤中，通过将第二蚀刻气体等离子化来移除留在所述基片的上表面上的所述蚀刻残留物。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二蚀刻气体包括氟或氯。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二蚀刻气体包括HCl、ClF₃、NF、CF₄、C₃F₈、NF₃、C₂F₆、CF₄、F₂、CHF₃、SF₆和Cl₂中的一种。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二蚀刻气体具有比所述第一蚀刻气体更低的与所述基片的反应性。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一蚀刻气体是包括属于第VII族的元素的气体，且所述第二蚀刻气体是包括至少一种不属于第VII族的元素的气体。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二蚀刻气体包括惰性气体和氧气中的至少一种。

15.根据权利要求6～14中任一项所述的方法，在所述残留物移除步骤之后，进一步包括在氢氟酸水溶液中浸渍所述基片的氢氟酸浸渍步骤。

16.一种太阳能电池的制造方法，包括根据权利要求1～14中任一项所述的用于太阳能电池的基片的表面处理方法。

17.根据权利要求16所述的方法，在所述残留物移除步骤之后，进一步包括在氢氟酸水溶液中浸渍所述基片的氢氟酸浸渍步骤。

18.一种太阳能电池，其由根据权利要求16所述的太阳能电池的制造方法制造。