[发明专利]一种可电场调节磁电阻的自旋阀结构及其制备工艺有效
| 申请号： | 201010608783.3 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102129863A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 姜勇;苗君;张欣;张德林;徐晓光 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;H01F10/32;H01F41/18 |
| 代理公司： | 北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 | 代理人： | 刘淑芬 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种通过电场方式调节磁电阻的自旋阀结构，其特征在于：以多铁性材料取代传统自旋阀中的反铁磁层，制备出多铁性反铁磁层\钉扎层\非磁层\自由层的自旋阀结构，通过反铁磁层来对整个自旋阀的磁电阻进行调控。本发明还公开了上述结构的制备工艺。本发明的优点在于：传统自旋阀的调节方式为通过外磁场改变自由层的磁域方向，实现对磁电阻两种状态的调控，而我们的自旋阀则利用多铁性材料的磁电耦合效应，通过施加外电压改变电域方向进而改变其磁域方向，来影响钉扎层的磁域方向，实现对磁电阻两种状态的调控，即可被电场读写的磁性自旋阀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电场 调节 磁电 自旋 结构 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种可电场调节磁电阻的自旋阀结构，其特征在于，具体结构为：从底往上第一层为多铁性反铁磁层，厚度为30～320纳米；从底往上第二层为钉扎层Co90Fe10，厚度为2～10纳米；从底往上第三层为非磁层Cu，厚度为2～10纳米；从底往上第四层为自由层Co90Fe10，厚度为2～10纳米；从底往上第五层为保护层Ta，厚度为10纳米。
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