[发明专利]P型金属氧化物半导体管的制作方法有效
| 申请号： | 201010603101.X | 申请日： | 2010-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102543741A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张子莹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种P型金属氧化物半导体管的制作方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成栅氧化层和多晶硅栅极；在所述多晶硅栅极的两侧形成侧壁层；以多晶硅栅极和侧壁层为掩膜对半导体衬底进行硼离子注入，形成源漏极；采用等离子增强化学沉积方法形成氧化硅层，所述氧化硅层覆盖半导体衬底、侧壁层以及多晶硅栅极；对所述氧化硅层进行紫外光固化；进行源漏极退火处理。该方法有效避免了PMOS管的源漏极退火时，氧化硅层中氢元素造成的源漏极中硼元素的迁移。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 制作方法 | ||
【主权项】：
一种P型金属氧化物半导体管的制作方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成栅氧化层和多晶硅栅极；在所述多晶硅栅极的两侧形成侧壁层；以多晶硅栅极和侧壁层为掩膜对半导体衬底进行硼离子注入，形成源漏极；采用等离子增强化学沉积方法形成氧化硅层，所述氧化硅层覆盖半导体衬底、侧壁层以及多晶硅栅极；对所述氧化硅层进行紫外光固化；进行源漏极退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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