[发明专利]P型金属氧化物半导体管的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件制造技术，特别涉及一种P型金属氧化物半导体管的制作方法。

背景技术

在半导体器件的制造工艺中，P型金属氧化物半导体(PMOS)管、NMOS管、或者由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS)管成为构成芯片的基本器件。

现有技术中PMOS管的制作方法，包括以下步骤：

步骤11、在半导体衬底100上依次形成栅氧化层101和多晶硅栅极102；

具体地，在半导体衬底100上依次生长栅氧化层和沉积多晶硅层，然后对多晶硅层和栅氧化层进行刻蚀，形成栅氧化层101和多晶硅栅极102。

步骤12、在所述多晶硅栅极102的两侧形成侧壁层103；

步骤13、以多晶硅栅极102和侧壁层103为掩膜对半导体衬底100进行硼离子注入，形成源漏极104；

其中，由于PMOS管用空穴作为多数载流子，所以PMOS管的源极和漏极为P型，注入的离子为硼。

步骤14、采用等离子增强化学沉积(PECVD)方法形成氧化硅层105，所述氧化硅层105覆盖半导体衬底100、侧壁层103以及多晶硅栅极102；

在PECVD方法中，一般采用硅烷(SiH₄)和氧化二氮(N₂O)的混合气体生成氧化硅，进行反应的化学方程式为：

SiH₄+N₂O→SiOx+N₂+H₂+H₂O。

其中，形成的氧化硅层105用于在源漏极高温退火处理时，保护半导体衬底表面不受损伤。

步骤15、进行源漏极104的退火处理。

根据上述描述，图1为现有技术形成PMOS管的结构示意图。

需要说明的是，在形成的氧化硅层中含有大量的氢元素，能够以Si-H、Si-O-H、H-O-H的形式存在于氧化硅层中，该元素在源漏极退火时，严重影响源漏极中硼元素的掺杂量，使得硼元素从源漏极中迁移到氧化硅层中，因此，由于源漏极中硼含量的减少，在后续晶圆允收测试(WAT)中，测定的PMOS管的电阻值就会不符合规格。

发明内容

有鉴于此，本发明解决的技术问题是：如何避免PMOS管的源漏极退火时，氧化硅层中氢元素造成的源漏极中硼元素的迁移。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案具体是这样实现的：

本发明公开了一种P型金属氧化物半导体管的制作方法，该方法包括：

在半导体衬底上依次形成栅氧化层和多晶硅栅极；

在所述多晶硅栅极的两侧形成侧壁层；

以多晶硅栅极和侧壁层为掩膜对半导体衬底进行硼离子注入，形成源漏极；

采用等离子增强化学沉积方法形成氧化硅层，所述氧化硅层覆盖半导体衬底、侧壁层以及多晶硅栅极；

对所述氧化硅层进行紫外光固化；

进行源漏极退火处理。

所述紫外光固化时的紫外光波长200～400纳米。

所述紫外光固化时的固化时间为2～4分钟。

由上述的技术方案可见，本发明在采用等离子增强化学沉积方法形成氧化硅层后，进行紫外光固化(UV cure)，通过该步骤可以将氧化硅层中的氢元素去除，从而有效阻止源漏极退火时，源漏极中硼含量的减少，大大提高WAT测试的通过率。

附图说明

图1为现有技术形成PMOS管的结构示意图。

图2为本发明PMOS管制作方法的流程示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案、及优点更加清楚明白，以下参照附图并举实施例，对本发明进一步详细说明。

本发明利用示意图进行了详细描述，在详述本发明实施例时，为了便于说明，表示结构的示意图会不依一般比例作局部放大，不应以此作为对本发明的限定，此外，在实际的制作中，应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

本发明PMOS管的制作方法的流程示意图如图2所示，其包括以下步骤：

步骤21、在半导体衬底100上依次形成栅氧化层101和多晶硅栅极102；

具体地，在半导体衬底100上依次生长栅氧化层和沉积多晶硅层，然后对多晶硅层和栅氧化层进行刻蚀，形成栅氧化层101和多晶硅栅极102。

步骤22、在所述多晶硅栅极102的两侧形成侧壁层103；