[发明专利]压控振荡器的偏置电路

摘要

本发明公开了一种压控振荡器的偏置电路，包括基准电流源、第一组电流镜和第二组电流镜。第二组电流镜包括一低通滤波器；低通滤波器的电阻单元由一在线性区工作的MOS管组成、电容单元由源漏相连的MOS管组成。本发明能减少器件的尺寸、易于集成、能降低产品成本，还能降低拐点频率、提高产品性能。

主权项

一种压控振荡器的偏置电路，偏置电路包括基准电流源、第一组电流镜和第二组电流镜；所述第一组电流镜和所述第二组电流镜分别包括基准电流路径和镜像电流路径，所述第一组电流镜的基准电流路径的第一MOS管和镜像电流路径的第二MOS管为类型相同的等比例晶体管，所述第一MOS管的栅极、漏极和所述第二MOS管栅极相连，所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极相连；所述第二组电流镜的基准电流路径的第三MOS管和镜像电流路径的第四MOS管为类型相同的等比例晶体管，所述第三MOS管和所述第四MOS管的类型和所述第一MOS管和所述第二MOS管的类型相反；所述基准电流源和所述第一组电流镜的基准电流路径相连；所述第一组电流镜的镜像电流路径和所述第二组电流镜的基准电流路径相连，所述第二组电流镜的镜像电流路径和压控振荡器相连；工作时，所述基准电流源为所述第一组电流镜的基准电流路径提供第一基准电流，在所述第一组电流镜的镜像电流路径和所述第二组电流镜的基准电流路径中流过第一偏置电流，在所述第二组电流镜的镜像电流路径中流过第二偏置电流，所述第二偏置电流提供给所述压控振荡器工作；其特征在于：所述第二组电流镜还包括一低通滤波器；所述低通滤波器包括第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管，所述第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管的类型和所述第三MOS管和所述第四MOS管的类型相同；所述第五MOS管连接于所述第二组电流镜的基准电流路径上，所述第 五MOS管的栅极、漏极和所述第六MOS管的栅极相连、并和所述第一组电流镜的镜像电流路径相连；所述第五MOS管的源极、所述第三MOS管的漏极和栅极、所述第六MOS管的源极相连；所述第六MOS管的漏极、所述第四MOS管的栅极、所述第七MOS管的栅极相连；所述第七MOS管的源极和漏极、所述第三MOS管的源极、所述第四MOS管的源极相连；工作时，所述第五MOS管工作于饱和区，所述第五MOS管的栅源电压使所述第六MOS管导通并工作于线性区并形成一MOS管电阻，所述第七MOS管形成一MOS管电容，所述第六MOS管的电阻和所述第七MOS管的电容一起形成所述低通滤波器的电阻电容滤波单元，所述低通滤波器滤除所述基准电流源的噪声。