[发明专利]压控振荡器的偏置电路

权利要求书

1.一种压控振荡器的偏置电路，偏置电路包括基准电流源、第一组电流镜和第二组电流镜；

所述第一组电流镜和所述第二组电流镜分别包括基准电流路径和镜像电流路径，所述第一组电流镜的基准电流路径的第一MOS管和镜像电流路径的第二MOS管为类型相同的等比例晶体管，所述第一MOS管的栅极、漏极和所述第二MOS管栅极相连，所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极相连；所述第二组电流镜的基准电流路径的第三MOS管和镜像电流路径的第四MOS管为类型相同的等比例晶体管，所述第三MOS管和所述第四MOS管的类型和所述第一MOS管和所述第二MOS管的类型相反；

所述基准电流源和所述第一组电流镜的基准电流路径相连；所述第一组电流镜的镜像电流路径和所述第二组电流镜的基准电流路径相连，所述第二组电流镜的镜像电流路径和压控振荡器相连；工作时，所述基准电流源为所述第一组电流镜的基准电流路径提供第一基准电流，在所述第一组电流镜的镜像电流路径和所述第二组电流镜的基准电流路径中流过第一偏置电流，在所述第二组电流镜的镜像电流路径中流过第二偏置电流，所述第二偏置电流提供给所述压控振荡器工作；

其特征在于：所述第二组电流镜还包括一低通滤波器；所述低通滤波器包括第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管，所述第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管的类型和所述第三MOS管和所述第四MOS管的类型相同；

所述第五MOS管连接于所述第二组电流镜的基准电流路径上，所述第五MOS管的栅极、漏极和所述第六MOS管的栅极相连、并和所述第一组电流镜的镜像电流路径相连；所述第五MOS管的源极、所述第三MOS管的漏极和栅极、所述第六MOS管的源极相连；所述第六MOS管的漏极、所述第四MOS管的栅极、所述第七MOS管的栅极相连；所述第七MOS管的源极和漏极、所述第三MOS管的源极、所述第四MOS管的源极相连；

工作时，所述第五MOS管工作于饱和区，所述第五MOS管的栅源电压使所述第六MOS管导通并工作于线性区并形成一MOS管电阻，所述第七MOS管形成一MOS管电容，所述第六MOS管的电阻和所述第七MOS管的电容一起形成所述低通滤波器的电阻电容滤波单元，所述低通滤波器滤除所述基准电流源的噪声。

2.如权利要求1所述压控振荡器的偏置电路，其特征在于：所述第六MOS管的导通电阻的大小通过所述第五MOS管的沟道宽长比、所述第六MOS管的沟道宽长比和所述第一偏置电流的大小进行调节。

3.如权利要求1所述压控振荡器的偏置电路，其特征在于：所述第七MOS管的尺寸大于所述第四MOS管的尺寸，所述第七MOS管形成的电容大于所述第四MOS管的栅源电容。

4.如权利要求1所述压控振荡器的偏置电路，其特征在于：所述基准电流源为带隙基准电流源。

5.如权利要求1所述压控振荡器的偏置电路，其特征在于：所述第一MOS管和所述第二MOS管为NMOS管；所述第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管为PMOS管；所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极接地；所述第三MOS管的源极和所述第四MOS管的源极接电源电压。

6.如权利要求5所述压控振荡器的偏置电路，其特征在于：所述低通滤波器还包括第八MOS管，所述第八MOS管为PMOS开关管；所述第八MOS管的源极和所述第六MOS管的源极相连、所述第八MOS管的漏极和所述第六MOS管的漏极相连，所述第八MOS管的栅极接控制电压；所述控制电压控制所述第八MOS管在所述偏置电路接通瞬间开启，加快所述第六MOS管的开启速度，所述第六MOS管开启后，所述控制电压控制所述第八MOS管关闭。

7.如权利要求6所述压控振荡器的偏置电路，其特征在于：所述控制电压由一控制电路产生，所述控制电路包括第九MOS管、第十MOS管、第一电阻、第二电阻和一迟滞电压比较器；所述第九MOS管和所述第十MOS管为具有相同尺寸的PMOS管，所述第一电阻和所述第二电阻的电阻值相同；所述第九MOS管的源极和所述第十MOS管的源极都接电源电压，所述第九MOS管的漏极、所述第一电阻的第一端、所述迟滞电压比较器的反相输入端相连，所述第十MOS管的漏极、所述第二电阻的第一端、所述迟滞电压比较器的同相输入端相连，所述第九MOS管的栅极接所述第六MOS管的源极，所述第十MOS管的栅极接所述第六MOS管的漏极，所述第一电阻的第二端和所述第二电阻的第二端接地。

8.如权利要求5所述压控振荡器的偏置电路，其特征在于：所述第一组电流镜的基准电流路径由所述第一MOS管组成、所述第一组电流镜的镜像电流路径由所述第二MOS管组成，所述基准电流源和所述第一MOS管的漏极连接；所述第二组电流镜的基准电流路径由所述第三MOS管和所述第五MOS管组成、所述第二组电流镜的镜像电流路径由所述第四MOS管组成，所述第五MOS管的漏极和所述第二MOS管的漏极连接，所述第四MOS管的漏极和所述压控振荡器连接。