[发明专利]高界面强度类金刚石薄膜材料的常温沉积设备及其方法无效
申请号: | 201010599609.7 | 申请日: | 2010-12-22 |
公开(公告)号: | CN102011102A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 郑锦华 | 申请(专利权)人: | 郑锦华;郑州大学 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/50 |
代理公司: | 郑州大通专利商标代理有限公司 41111 | 代理人: | 陈大通 |
地址: | 450001 河南省郑州*** | 国省代码: | 河南;41 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种高界面强度类金刚石薄膜材料的常温沉积设备及其方法,设备采用一个由平面平板电极和钨丝线圈电极所构成的复合阳极,在钨丝线圈阳极上加工出锐角的三角形槽口,以形成尖端放电点;在DC直流等离子放电中,在DLC薄膜表面形成一定密度的微孔构造,使DLC薄膜成为非连续膜,其作用是减少膜中的压缩残余应力。通过复合阳极的升降调整,可以控制DLC薄膜表面形成的微孔密度。电源采用DC-RF射频双电源系统,DC直流等离子发生源使镀层和薄膜有好的结合强度,同时也与金属基材有较好的结合强度;利用RF射频法形成致密的DLC薄膜结构,提高薄膜的耐磨性能;同时将钨丝线圈电极转换为热灯丝,形成热丝辅助CVD化学气相沉积过程,提高薄膜的沉积速度。本发明沉积设备使用寿命长,非常有利于推广实施。 | ||
搜索关键词: | 界面 强度 金刚石 薄膜 材料 常温 沉积 设备 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种高界面强度类金刚石薄膜材料的常温沉积设备,含有沉积室,与沉积室连通有原料气进气管道和抽真空装置,在沉积室内底部设有与等离子发生源负极连接的阴极载物台,在沉积室内部上侧设有与等离子发生源正极连接的阳极,其中阳极与沉积室电连接,沉积室与地线连接,以及加热灯丝装置,其特征是:所述阳极为复合阳极,该复合阳极包括一个平板阳极和一个高熔点金属丝线圈阳极,其中平板阳极位于高熔点金属丝线圈阳极上侧,平板阳极和高熔点金属丝线圈阳极均与等离子发生源阳极连接;所述等离子发生源为一个DC直流等离子发生源和一个交变等离子发生源,两等离子发生源的阳极与沉积室外壳连接,两等离子发生源的阴极分别通过隔断开关与阴极连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于郑锦华;郑州大学,未经郑锦华;郑州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010599609.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:转印装置和图像形成装置
- 下一篇:制备纳米晶电阻转换材料的方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的