[发明专利]电压控制变容器结构及其制备方法无效
申请号: | 201010598662.5 | 申请日: | 2010-12-21 |
公开(公告)号: | CN102544121A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 金勤海;王星杰;张力 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/94 | 分类号: | H01L29/94;H01L21/334 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种电压控制变容器结构,其为在所述变容器的衬底上至少具有一个沟槽,所述沟槽侧壁和底部以及衬底表面覆盖有氧化硅,所述沟槽内和位于所述沟槽两侧的衬底上设有由多晶硅构成的“T”字结构,所述衬底连接金属形成所述变容器的一个电极,所述多晶硅连接金属形成所述变容器的另一个电极。 | ||
搜索关键词: | 电压 控制 容器 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种电压控制变容器结构,其特征在于:在所述变容器的衬底上至少具有一个沟槽,所述沟槽侧壁和底部以及衬底表面覆盖有氧化硅,所述沟槽内和位于所述沟槽两侧的衬底上设有由多晶硅构成的“T”字结构,所述衬底连接金属形成所述变容器的一个电极,所述多晶硅连接金属形成所述变容器的另一个电极。
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