[发明专利]电压控制变容器结构及其制备方法

权利要求书

1.一种电压控制变容器结构，其特征在于：在所述变容器的衬底上至少具有一个沟槽，所述沟槽侧壁和底部以及衬底表面覆盖有氧化硅，所述沟槽内和位于所述沟槽两侧的衬底上设有由多晶硅构成的“T”字结构，所述衬底连接金属形成所述变容器的一个电极，所述多晶硅连接金属形成所述变容器的另一个电极。

2.如权利要求1所述的电压控制变容器结构，其特征在于：所述多晶硅的掺杂浓度为：10¹⁴-10¹⁶原子/cm²。

3.如权利要求1所述的电压控制变容器结构，其特征在于：所述衬底的掺杂浓度为：10¹²-10¹⁴原子/cm²。

4.如权利要求1至3中任一项所述的电压控制变容器结构，其特征在于：所述沟槽的深度为0.1-50微米，宽度为0.1-50微米；所述多晶硅在衬底上表面之上的厚度为0.1-5微米。

5.如权利要求1至3中任一项所述的电压控制变容器结构，其特征在于：所述衬底通过欧姆接触和金属连接形成变容器的一个电极，所述多晶硅同样通过欧姆接触和金属连接形成变容器的另一个电极。

6.如权利要求4所述的电压控制变容器结构，其特征在于：所述衬底通过欧姆接触和金属连接形成变容器的一个电极，所述多晶硅同样通过欧姆接触和金属连接形成变容器的另一个电极。

7.一种电压控制变容器结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)光刻并刻蚀衬底，在所述衬底上至少形成一个沟槽；

(2)在所述衬底表面、沟槽侧壁和底部形成氧化硅层；

(3)在衬底上淀积多晶硅，以填充所述沟槽，之后光刻后刻蚀所述多晶硅，使多晶硅在所述沟槽内和所述沟槽两侧的衬底表面形成“T”字型结构；

(4)淀积层间膜，之后光刻定义出衬底接触孔和多晶硅接触孔的位置，接着淀积通孔金属形成衬底接触和多晶硅接触；

(5)淀积互连金属，而后光刻刻蚀，通过金属线分别与衬底接触和多晶硅接触形成所述变容器的两个电极。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中氧化硅层的形成采用热氧氧化法。