[发明专利]一种电阻转变型存储器的制造方法无效
| 申请号： | 201010597905.3 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102544357A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 刘明;王艳;龙世兵;吕杭炳;刘琦;李颖涛;张森;连文泰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电阻转变型存储器器件的制造方法，所述方法包括：形成下导电电极；在所述下导电电极上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成上导电电极；对所述器件进行辐照。通过辐照工艺对绝缘材料层优化，辐照工艺后的电阻转变型存储器器件的高阻态阻值的范围变得更小，即高阻态阻值更集中，有效提高了电阻转变型存储器器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 转变 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻转变型存储器器件的制造方法，所述方法包括：A、形成下导电电极；B、在所述下导电电极上形成绝缘层；C、在所述绝缘层上形成上导电电极；D、对所述器件进行辐照。
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