[发明专利]一种电阻转变型存储器的制造方法无效
| 申请号： | 201010597905.3 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102544357A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 刘明;王艳;龙世兵;吕杭炳;刘琦;李颖涛;张森;连文泰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 转变 存储器 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种电阻转变型存储器器件的制造方法，所述方法包括：
A、形成下导电电极；
B、在所述下导电电极上形成绝缘层；
C、在所述绝缘层上形成上导电电极；
D、对所述器件进行辐照。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘层的厚度为10nm-70nm。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘层包括固态电解液薄膜材料、二元氧化物薄膜材料或他们的组合。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述固态电解液薄膜材料包括CuS、AgS、AgGeSe或CuIxSy，所述二元氧化物薄膜材料包括ZrO2、HfO2、TiO2、SiO2、WOx、NiO、CuO、ZnO、TaOx或CrOx。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述辐照的辐射源包括：x射线、α射线、β射线、γ射线或高能离子流。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述辐照的剂量为0.1rad/s-100rad/s。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述辐照的时间30秒-10小时。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述上导电电极包括易氧化金属。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述上导电电极包括Cu、Ag或其组合。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，其中所述步骤D在所述步骤B和步骤C之间执行。
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