[发明专利]一种高热导率多层SiC单晶微波衰减材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201010597291.9 | 申请日： | 2010-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102557640A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 杨志民;毛昌辉;杜军;杨立文;董茜 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622;B32B9/04 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高热导率多层SiC单晶复合微波衰减材料，由若干层具有高电阻率SiC层与高损耗SiC层交替复合而成，处于最外层的为高电阻率SiC层，其电阻率为104Ωm～108Ωm；高损耗SiC层为掺杂N的SiC层，其电阻率为10-3Ωm～101Ωm，高电阻率SiC层的热导率为250-410W/m·K。本发明采用PVT法，通过在晶体生长过程中周期性地通入不同的气氛，形成交替复合的高电阻率SiC层与高损耗SiC层，高电阻率SiC层作为导热层能将高损耗SiC层吸收微波所产生的热量迅速传递出去，而高损耗SiC层可通过控制生长过程中载气中N2的比例来调整SiC单晶的电阻值，达到在微波频段衰减电磁波的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高热 多层 sic 微波 衰减 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高热导率多层SiC单晶复合微波衰减材料，其特征在于，由若干层具有高电阻率SiC层与高损耗SiC层交替复合而成，处于最外层的为高电阻率SiC层，其电阻率为104Ωm～108Ωm；高损耗SiC层为掺杂N的SiC层，其电阻率为10‑3Ωm～101Ωm。
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