[发明专利]一种均匀弥散颗粒增强金属基复合材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201010597065.0 | 申请日： | 2010-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102134664A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 陈敬超;周晓龙;张昆华;管伟明;杜焰;于杰 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C22C1/10 | 分类号： | C22C1/10;B21B1/38;B21C23/00 |
| 代理公司： | 昆明今威专利代理有限公司 53115 | 代理人： | 赛晓刚 |
| 地址： | 650093 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以材料大塑性变形理论为依据，通过对颗粒增强金属基复合材料的大塑性/累积变形加工，使团聚在金属基体中的第二相颗粒均匀分布(弥散)于基体中，再经后续加工制得颗粒增强金属基复合材料制品(杆材、线材、片材或带材、或零部件)，提高颗粒增强复合材料质量和成材率、降低材料加工成本。获得具有第二相颗粒均匀分布特点、性能优良的颗粒增强金属基复合材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 均匀 弥散 颗粒 增强 金属 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种均匀弥散颗粒增强金属基复合材料，其特征在于：颗粒增强金属基复合材料组成范围为：基体材料为银基体、钛基体、铜基体、铝基体、铅基体、锌基体或铂族金属基体，第二相即增强相的颗粒材料为：Al2O3、SnO2、ZrO2、TiO2、ERO即稀土氧化物、TiB2、SiC、B4C、AlN或Si3N4，按照质量百分比计，第二相即增强相颗粒在各类基体中的含量第范围为：0.1～40％。
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