[发明专利]一种均匀弥散颗粒增强金属基复合材料及其制备方法无效
申请号: | 201010597065.0 | 申请日: | 2010-12-20 |
公开(公告)号: | CN102134664A | 公开(公告)日: | 2011-07-27 |
发明(设计)人: | 陈敬超;周晓龙;张昆华;管伟明;杜焰;于杰 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | C22C1/10 | 分类号: | C22C1/10;B21B1/38;B21C23/00 |
代理公司: | 昆明今威专利代理有限公司 53115 | 代理人: | 赛晓刚 |
地址: | 650093 云南省昆*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 均匀 弥散 颗粒 增强 金属 复合材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种均匀弥散颗粒增强金属基复合材料,其特征在于:颗粒增强金属基复合材料组成范围为:基体材料为银基体、钛基体、铜基体、铝基体、铅基体、锌基体或铂族金属基体,第二相即增强相的颗粒材料为:Al2O3、SnO2、ZrO2、TiO2、ERO即稀土氧化物、TiB2、SiC、B4C、AlN或Si3N4,按照质量百分比计,第二相即增强相颗粒在各类基体中的含量第范围为:0.1~40%。
2.根据权利要求1所述的均匀弥散颗粒增强金属基复合材料,其特征在于:所述的金属基复合材料为AgCeO2复合材料、Cu/Al2O3复合材料、Pb/B4C复合材料、AgY2O3复合材料、Al/Al2O3复合材料或Rh/ZrO2复合材料。
3.根据权利要求2所述的均匀弥散颗粒增强金属基复合材料,其特征在于:所述的AgCeO2复合材料中CeO2质量百分比为10%;Cu/Al2O3复合材料中Al2O3质量百分比为3%;Pb/B4C复合材料中B4C质量百分比为4%;AgY2O3复合材料中Y2O3质量百分比为10%;Al/Al2O3复合材料中Al2O3质量百分比为8%;Rh/ZrO2复合材料中ZrO2质量百分比为0.3%。
4.一种均匀弥散颗粒增强金属基复合材料中第二相的制备方法,其特征在于:对常规方法制成的颗粒增强金属基复合材料坯料进行大塑性/累积变形加工,达到材料真应变达到或超过10.0的变形量,使团聚在金属基体中的第二相颗粒均匀弥散分布于基体中,再经后续加工制得颗粒增强金属基复合材料制品。
5.根据权利要求4所述的均匀弥散颗粒增强金属基复合材料中第二相的制备方法,其特征在于:所述的大塑性/累积变形加工是指轧制变形加工或挤压变形加工
6.根据权利要求5所述的均匀弥散颗粒增强金属基复合材料中第二相的制备方法,其特征在于:所述的轧制变形加工是:针对板/带材的颗粒增强金属基复合材料坯料,采用多层坯料叠轧方式进行轧制变形,每次变形以单层坯料厚度的变形量为计算单元,经过多次叠轧,轧制温度的范围200~1000℃;所述的挤压变形加工是:针对棒/线材的颗粒增强金属基复合材料坯料,采用多次挤压方式进行挤压变形,每次变形以单根坯料直径的变形量为计算单元,经过多次挤压,直至累积变形的真应变达到10.0及以上。挤压温度的范围400~1000℃。
7.根据权利要求4所述的均匀弥散颗粒增强金属基复合材料中第二相的制备方法,其特征在于:所述的常规方法为反应合成法、内氧化法、粉末冶金法、铸造法或内氧化法。
8.根据权利要求4所述的均匀弥散颗粒增强金属基复合材料中第二相的制备方法,其特征在于:所述的后续加工是轧制、挤压、拉拔或锻造;复合材料制品是杆材、线材、片材或带材、或零部件。
9.根据权利要求4所述的均匀弥散颗粒增强金属基复合材料中第二相的制备方法,其特征在于:所述的金属基复合材料为AgCeO2复合材料、Cu/Al2O3复合材料、Pb/B4C复合材料、AgY2O3复合材料、Al/Al2O3复合材料或Rh/ZrO2复合材料。
10.根据权利要求9所述的均匀弥散颗粒增强金属基复合材料中第二相的制备方法,其特征在于:所述的AgCeO2复合材料中CeO2质量百分比为10%;Cu/Al2O3复合材料中Al2O3质量百分比为3%;Pb/B4C复合材料中B4C质量百分比为4%;AgY2O3复合材料中Y2O3质量百分比为10%;Al/Al2O3复合材料中Al2O3质量百分比为8%;Rh/ZrO2复合材料中ZrO2质量百分比为0.3%。
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