[发明专利]一种Pd-Ni/SiNWs阵列电极葡萄糖传感器及其制备方法和应用无效
| 申请号： | 201010594047.7 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102539491A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张健;回士超;严强;陈雪皎;任旭 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Pd-Ni/SiNWs阵列电极葡萄糖传感器，其包括硅衬底材料、基底SiNWs阵列材料层、金属Pd-Ni纳米颗粒镀层、铜导线和环氧树脂保护层；所述基底SiNWs阵列材料是生长在硅衬底材料上，金属Pd-Ni纳米颗粒镀层设置在基底SiNWs阵列材料层上，铜导线设置在金属Pd-Ni纳米颗粒镀层上，环氧树脂保护层包裹在铜导线和金属Pd-Ni纳米颗粒镀层接触部分。本发明还公开Pd-Ni/SiNWs阵列电极葡萄糖传感器的制备方法及应用。本发明结构体积小、表面积大、活性高，具有高灵敏度和抗干扰性，具有广泛的适用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pd ni sinws 阵列 电极 葡萄糖 传感器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种Pd‑Ni/SiNWs阵列电极葡萄糖传感器，其特征在于，包括硅衬底材料、基底SiNWs阵列材料层、金属Pd‑Ni纳米颗粒镀层、铜导线及环氧树脂保护层；所述基底SiNWs阵列材料是生长在硅衬底材料上，所述金属Pd‑Ni纳米颗粒镀层设置在基底SiNWs阵列材料层上，所述铜导线设置在金属Pd‑Ni纳米颗粒镀层上，环氧树脂保护层包裹在铜导线和金属Pd‑Ni纳米颗粒镀层的接触部分。
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